Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Tuntutan akan pengetahuan kondisi keda transistor guna mengoptimalkan desain rangkaian elektronika membutuhkan alat penjejak kurva karakteristik transistor. Dalam togas akhir ini dibuat alat penjejak kurva karakteristik transistor dengan bantuan komputer sebagai salah satu alternatif dalam membuat penjejak kurva karakteristik transistor dengan menggunakan bantuan komputer sebagai pusat pengendalian alat ukur dan pengolhhan data karakteristik transistor. Dengan alat ini, dapat ditunjukkan karakteristik transistor, yang selanjutnya dapat digunakan untuk menenuukan beberapa parameter yang menunjukkan unjuk beda transistor yang diuji. Parameter-parameter yang dapat dihitung berdasarkan data karakteristiknya adalah sebagai berikut : penguatan arus searak penguatan arus bolak-baik, arcs bocor, serta admitansi dan impedansi keluaran transistor. Dalam membangun penjejak kurva karakteristik dengan bantuan komputer diperlukan alat tambahan berupa kartu antarmuka, unit antarmuka analog, dan unit penjejak kurva. Kam antarmuka berfungsi untuk menyesuaikan kondisi kega komputer dan slat di luar komputer. Unit antarmuka analog, yang terdiri dari rangkaian ADC dan DAC, berguna baik untuk mengkonversi data digital komputer menjadi sinyal analog pengontrol unit penjejak kurva maupun untuk mengkonversi sinyal analog keluaran unit penjejak kurva menjadi data digital yang dapat diolah komputer. Sedangkan unit penjejak kurva merupakan tempat meletakkan transistor yang akan diuji dan melakukan pengubahan tegangan pengontrol menjadi arus pada terminal basis transistor. Seluruh pengendalian keda peranti dan pengolahan data karakteristik dilakukan pada komputer dengan menggunakan perangkat lunak yang dirancang khusus untuk memudahkan pemakai dalam pengoperasiannya."

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis.Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04.Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz."