Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
"
Stress Induced Leakage C urren! (SILC) telah menjadi suatu fenomena tersendiri dalam perkembangan divais MOSFET. SILC yang lbih dikenal dengan nama arus bocor ini, hadir setting dengan berkembangnya teknologi mikron dalam sebuah divais MOSFET. Berbagai penelitian telah dilakukan demi memperoleh suatu pengertian baku yang mampu menjelaskan keseluruhan fenomena SILC ini, Diharapkan dari pengetahuan dan penelitian yang ada, arus SILC dapat diatasi, walaupun sebenarnya hal ini masih menjadi tanda tanya besar. Sejauh ini SI]_.C dqelaskan dalam ...
"
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
S39826
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library