Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKMaterial semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) dikenal sebagai semikonduktor tipe-p dengan energi celah pita ideal dan koefisien penyerapan tinggi untuk lapisan penyerap pada aplikasi sel surya. Fabrikasi menggunakan metode Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) menjadi kombinasi yang tepat untuk menghasilkan sel surya berbasis lapisan tipis yang terjangkau dan rendah toksisitas. Siklus pencelupan menjadi salah satu faktor penting proses yang dapat mempengaruhi struktur dan sifat optis lapisan tipis CZTS yang terbentuk pada permukaan substrat. Dengan menggunakan variabel 25, 30, 35, dan 40 siklus, serta perlakuan anil tanpa dan dengan suasana sulfur, penelitian ini melakukan investigasi pengaruhnya terhadap struktur dan sifat optis berupa nilai energi celah pita. Hasil XRD menunjukkan penurunan nilai kristalinitas dengan kenaikan jumlah siklus pencelupan. Topografi permukaan lapisan tipis CZTS hasil SEM menunjukkan adanya retak dan penggumpalan partikel pada permukaan sampel yang diduga sebagai fasa kedua berdasarkan analisis hasil EDX. Nilai energi celah pita pada sampel hasil anil tanpa suasana sulfur dan sampel hasil anil dalam suasana sulfur pun mengalami penurunan seiring dengan peningkatan jumlah siklus pencelupan.

---

ABSTRACTSemiconducting Cu2ZnSnS4 (CZTS) material is known as p-type semiconductor which has ideal direct band gap and high absorption coefficient for absorber layer in thin-film solar cells application. Fabricated by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method, this could be a promising technique to produce low cost and low toxicity thin-film solar cells. Immersion cycle is one of the important factors in SILAR method that may effect on structure and optical properties of CZTS thin film. By using following variables: 25, 30, 35, and 40 immersion cycles, and annealing treatment in non-sulfur condition and annealing treatment in sulfur condition as well, this investigation focused on their effects to structure and optical properties. The XRD results give decreased crystallinity with the increasing of immersion cycles. Surface topography of CZTS thin film, as the results of SEM examination, indicate the presence of cracks and coalescence particles on the surface of samples, suspected as second phases according to the results of EDX examination. Besides, as the immersion cycles are going up, it leads to decreasing on band gap energy on both annealed samples."

"Pb doped ZnO disintesis dengan metode kopresipitasi menggunakan prekursor ZnSO4.7H2O dan PbCl2 dengan variasi konsentrasi dopant Pb (0.5%, 3%, 3.5% dan 5%) pada kondisi pH 13 serta temperatur pengeringan 100 0C selama empat jam. Sampel dikarakterisasi dengan X-Ray Diffraction (XRD) dan Energy Dispersive X-Ray (EDX) untuk melihat morfologi serta komposisi Pb doped ZnO. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan terbentuknya fase utama wurtzite ZnO serta ditemukan fase sekunder PbO. Analisa lebih lanjut menunjukkan perubahan parameter kisi wurtzite ZnO (a=3.252, c=5.216) serta penurunan ukuran kristal (18 hingga 12 nm) dengan penambahan dopant Pb. Sifat optik Pb doped ZnO dikarakterisasi menggunakan UV-Vis Spectroscopy dan diperoleh penurunan energi celah pita ZnO (3.379 hingga 3.310 eV). Penurunan energi celah pita ZnO mengindikasikan terbentuknya pita tambahan di bawah pita konduksi ketika terjadi substitusi Pb ke dalam matriks ZnO. Kemampuan fotokatalis Pb doped ZnO dikarakterisasi dengan metode Photocatalytic Activity (PCA) menggunakan sinar UV pada rentang 200–800 nm selama 1 jam dan didapatkan efisiensi fotokatalis terbaik pada sampel Pb doped ZnO dengan kadar dopant 3.5%.

---

Pb doped ZnO were synthesized by coprecipitation with ZnSO4.7H2O and PbCl2 (0.5%, 3%, 3.5% and 5%) at pH 13 and 100 0C for four hours. Morphology and composition of Pb doped ZnO were characterized by X-Ray Diffraction (XRD) and Energy dispersive X-ray (EDX). XRD spectrum indicated the formation of wurtzite ZnO and PbO. Further analysis showed that lattice parameter of ZnO has changed (a = 3.252, c = 5.216) and crystallite size has decreased (18 to 12 nm) with the addition of Pb. The optical properties of Pb doped ZnO were characterized using UV-Vis spectroscopy and showed that bandgap energy was decreased (3.379 to 3.310 eV). This indicated the formation of additional bandgap below the conduction band when the substitution of Pb into the ZnO matrix. Photocatalytic Activity (PCA) of Pb doped ZnO photocatalysts were characterized using UV in 200-800 nm for 1 hour and Pb Doped ZnO 3.5% has the best photocatalytic activity.

"

"Dalam penelitian ini telah dilakukan sintesis nanopartikel ZnO melalui proses presipitasi, diikuti dengan proses pra-hidrotermal, anil, dan proses pascahidrotermal dengan variasi temperatur 80, 100, 120, dan 150°C. Pengaruh variasi temperatur proses pasca-hidrotermal terhadap ukuran kristalit, kristalinitas, dan energi celah pita nanopartikel diteliti dengan karakterisasi difraksi sinar X dan spektroskopi UV-Vis. Peningkatan temperatur proses pasca-hidrotermal dari 80 hingga 150°C mampu meningkatkan ukuran nanopartikel ZnO dari 11.816 menjadi 13.442 nm, serta menurunkan energi celah pita dari 3.085 menjadi 3.070 eV. Nanopartikel ZnO hasil proses pasca-hidrotermal dengan temperatur 150°C mampu menghasilkan ukuran yang kecil (13.442 nm), kristalinitas yang tinggi, dan energi celah pita yang sama dengan ZnO ruah (3.07 eV.

---

In this research, ZnO nanoparticles has been synthesized by precipitation method, followed by pre-hydrothermal, annealing, and post-hydrothermal processes with variation in temperature of 80, 100, 120, and 150°C. The effects of the variation in temperature on the crystallite size, crystallinity, and bandgap energy of ZnO nanoparticles have been investigated by X-Ray Diffraction and UV-Vis spectroscopy. The increase in temperatures from 80 to 150°C has enhanced the crystallite size of ZnO nanoparticles from 11.816 to 13.442 nm and decreased the bandgap energy from 3.085 to 3.070 eV. ZnO nanoparticles derived from posthydrothermal process with temperature of 150°C showed the most-enhanced crystallite size of 13.442 nm and the lowest bandgap energy of 3.070 eV, which is the same as the bandgap energy of bulk ZnO."