Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi tinggi. Metode riset yang dilakukan berupa pemodelan menggunakan software komersil Bipole3 dari BIPSIM inc, dengan acuan berdasarkan HBT SiGe IBM generasi pertama. Model acuan dengan lithography 0,50 μm, memiliki unjuk kerja keluaran ;fT = 45 Ghz, β=110, fmaks = 65 Ghz, Rbb = 18,9 ohm, βVCEO 3,3 Volt, dan Fn =1,07dB pada finp=fT. Meningkat unjuk kerjanya menjadi fT = 79,4 Ghz, β=284, fmaks = 127 Ghz serta Rbb = 9,0 ohm dengan VCEO 2,7 Volt dan Fn =0,36 dB pada finp=fT ketika parameter lateral dan vertikal diubah. Perubahan parameter lateral dilakukan dengan menambah terminal basis dari satu menjadi dua, memperkecil ukuran model menjadi 80% dari ukuran semula, menurunkan lithography menjadi 0,09 μm. Sedangkan untuk parameter vertikal dilakukan dengan cara merubah profile germanium pada basis dari segitiga menjadi trapesium, menaikkan mole fraction (x) dari 7,5% menjadi 10%, serta memperkecil lebar basis menjadi 50% dari ukuran semula. Hasil analisis validasi HBT SiGe acuan dan model memberikan deviasi rata-rata 6%. Parameter lateral berpengaruh pada nilai arus kolektor (IC), resistansi parasitis (Rbb) dan frekuensi maksimum (fmaks) sedangkan parameter vertikal berpengaruh pada frekuensi threshold (fT) dan current gain (β). Pemilihan nilai parameter lateral dan vertikal yang tepat, dapat menghasilkan model dengan noise figure (Fn) yang rendah pada frekuensi kerja yang tinggi serta arus kolektor (IC) yang kecil.

---

The Geometric design with a lateral and vertical combination has been successfully designed, simulated on Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT) and has shown several advantages, particularly low noise figure as described in this dissertation. The research aims to obtain the SiGe HBT devices with a lowest noise figure (Fn) at high frequency operation. The method is based on modeling of used commercial software Bipole3 from BIPSIM inc, based on the first-generation IBM SiGe HBT model as a reference.

The reference model with the lithography of 0.50μm, has the output performance of ; fT= 45 Ghz, β=110, fmaks= 65 Ghz, Rbb= 8.9ohms, = 3.3 Volt, with Fn = 1.07 dB at finp = fT, the performance increases to fT =79.4 Ghz, β = 284, fmaks= 27 Ghz and Rbb= 9.0 ohms, βVCEO =2.7 Volt and Fn = 0.36 dB at finp = fT when the lateral and vertical parameters were modified. Modification of the lateral parameters is done by using two base terminals instead of one, reducing the size of the model to be 80% from original size, reducing the lithography to 0.09 μm. While the vertical parameter is changed by converting the profile of germanium from the triangle to trapezoid basis, increasing the mole fraction (x) from 7.5% to 10%, and reducing the base width to be 50% from original size. The validation of the SiGe HBT with a reference model has an average deviation of 6%.

The lateral parameters have influenced the value of the collector current (IC), parasitic resistance (Rbb) and the maximum frequency (fmaks,) while the vertical parameters influence the frequency threshold (fT) and current gain (β). The appropriate selection of lateral and vertical parameter values can produce models with a low noise figure (Fn) at high frequency operation as well as small collector current (IC)."

"Tugas Akhir ini memaparkan tentang budaya Tionghoa yang hingga saat ini masih dijalankan di perkumpulan Himpunan Bersatu Teguh (恒明堂 Heng Beng Tong), sebuah perhimpunan orang Tionghoa di kota Padang. Tujuan dari penelitian ini adalah memberikan informasi dan memperkaya wawasan pembaca mengenai budaya Tionghoa apa saja yang tetap eksis di tengah komunitas orang Tionghoa Himpunan Bersatu Teguh (HBT), serta memaparkan dampak dan pengaruh terhadap masyarakat setempat. Proses penelitian yang dilakukan meliputi studi kepustakaan dan studi lapangan berupa wawancara terhadap narasumber. Anggota HBT terdiri dari Orang Tiongkok yang sudah menetap di Padang. Namun, meski hidup berdampingan dengan masyarakat dan budaya Minang, HBT tetap melestarikan budaya leluhurnya.

---

This research describes the Chinese culture which is still being carried out in the association "Himpunan Bersatu Teguh" (恒 明堂 Heng Beng Tong), an association of Chinese people in the city of Padang. The purpose of this study is to provide information and enrich readers' insights about what Chinese culture still exists in the Chinese community of "Himpunan Bersatu Teguh (HBT)", as well as to describe the impact and influence on the local community. The research process was carried out using the method of literature study and field study in the form of interviewing informants. The HBT members consist of Chinese immigrants who have settled in Padang. However, despite living side by side with the Minang community and their culture, HBT still preserves the culture of its ancestors."

"Tren teknologi sistem komunikasi nirkabel saat ini adalah menuju multi layanan atau multi standar, termasuk sistem gelombang radio (RF) yang di dalamnya terdapat perangkat mixer sebagai pentranslasi frekuensi. Namun dalam implementasinya membutuhkan lebih banyak komponen, karena setiap perangkatnya membutuhkan lebih banyak divais. Maka diperlukan perancangan sistem RF yang setiap divaisnya dapat melayani lebih dari 1 pita frekuensi. Sehingga dapat mengurangi jumlah komponen.Tesis ini membahas perancangan rangkaian up-conversion dual-band mixer untuk sistem pemancar RF pada perangkat CPE Mobile WiMAX pada pita frekuensi 2,3 GHz dan 2,6 GHz menggunakan heterojunction bipolar transistor (HBT). Inti mixer yang digunakan adalah jenis double-balanced Gilbert-cell. Pada proses perancangan dual-band mixer ini, digunakan rangkaian dual resonating frequency yang berfungsi untuk menghasilkan resonansi pada 2 frekuensi yang berbeda secara simultan pada input dan output mixer. Digunakan juga rangkaian -lowpass sebagai input dan output matching.Hasil simulasi menunjukkan bahwa dual-band mixer ini dapat bekerja pada 2 pita frekuensi, 2,3GHz dan 2,6GHz, dengan up-conversion gain sebesar 6,222/5,231 dB dan isolasi LO-IF, LO-RF, dan IF-RF sebesar ?70 dB, gain compression sebesar ?72,192/?79,300 dBm untuk input power level dan ?61,297/?68,428 dBm untuk output power level, sedangkan untuk OIP3, IIP3, dan IM3 masing-masing sebesar ?7,670/?8,407 dBm, ?13,892/?13,638 dBm, dan ?138,257/?140,103 dBm, serta memiliki nilai VSWR dan return loss masingmasing sebesar 1,230/1,229 dan ?10 dB. Mixer ini diberikan tegangan catu sebesar 3,7V.

---

In wireless communication systems, the current trend technology is toward multistandards/multiservices, includes RF system wherein mixer as a frequency translation. But in implementation, it needs more components, because each device need more devices. So in designing need of each devices can operate more than one frequency bands. Due to reducing the components.This paper discuss of design of up-conversion dual-band mixer for transmitter of Mobile WiMAX CPE at 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands using heterojunction bipolar transistor. In mixer core, double-balanced Gilbert-type up-conversion mixer is used. In designing process, to perform mixer can resonate at two different frequencies simultaneously is used the dual resonating frequency circuit at the input and output of the mixer. It is also used -lowpass matching circuit of all mixer ports.Simulation results show that the mixer can operate at two frequencies of 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands, obtain the conversion gain of 6.222/5.231 dB, port-to-port isolation of ?70 dB, gain compression of ?72,192/?79,300 dBm for input power level, and ?61,297/?68,428 dBm for output power level, OIP3, IIP3, and IM3 of ?7.670/?8.407 dBm, ?13.892/?13.638 dBm, and ?138.257/?140.103 dBm, respectively. VSWR and return loss of 1.230/1.229 and ?10 dB, respectively. It consumes 3.7V power supply."

"Tren teknologi sistem komunikasi nirkabel saat ini adalah menuju multi layanan atau multi standar, termasuk sistem gelombang radio (RF) yang di dalamnya terdapat perangkat mixer sebagai pentranslasi frekuensi. Namun dalam implementasinya membutuhkan lebih banyak komponen, karena setiap perangkatnya membutuhkan lebih banyak divais. Maka diperlukan perancangan sistem RF yang setiap divaisnya dapat melayani lebih dari 1 pita frekuensi. Sehingga dapat mengurangi jumlah komponen. Tesis ini membahas perancangan rangkaian up-conversion dual-band mixer untuk sistem pemancar RF pada perangkat CPE Mobile WiMAX pada pita frekuensi 2,3 GHz dan 2,6 GHz menggunakan heterojunction bipolar transistor (HBT). Inti mixer yang digunakan adalah jenis double-balanced Gilbert-cell. Pada proses perancangan dual-band mixer ini, digunakan rangkaian dual resonating frequency yang berfungsi untuk menghasilkan resonansi pada 2 frekuensi yang berbeda secara simultan pada input dan output mixer. Digunakan juga rangkaian -lowpass sebagai input dan output matching. Hasil simulasi menunjukkan bahwa dual-band mixer ini dapat bekerja pada 2 pita frekuensi, 2,3GHz dan 2,6GHz, dengan up-conversion gain sebesar 6,222/5,231 dB dan isolasi LO-IF, LO-RF, dan IF-RF sebesar <-70 dB, gain compression sebesar ?72,192/?79,300 dBm untuk input power level dan ?61,297/?68,428 dBm untuk output power level, sedangkan untuk OIP3, IIP3, dan IM3 masing-masing sebesar ?7,670/?8,407 dBm, ?13,892/?13,638 dBm, dan ?138,257/?140,103 dBm, serta memiliki nilai VSWR dan return loss masing-masing sebesar 1,230/1,229 dan ...

---

ABSTRACTIn wireless communication systems, the current trend technology is toward multistandards/multiservices, includes RF system wherein mixer as a frequency translation. But in implementation, it needs more components, because each device need more devices. So in designing need of each devices can operate more than one frequency bands. Due to reducing the components. This paper discuss of design of up-conversion dual-band mixer for transmitter of Mobile WiMAX CPE at 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands using heterojunction bipolar transistor. In mixer core, double-balanced Gilbert-type up-conversion mixer is used. In designing process, to perform mixer can resonate at two different frequencies simultaneously is used the dual resonating frequency circuit at the input and output of the mixer. It is also used -lowpass matching circuit of all mixer ports. Simulation results show that the mixer can operate at two frequencies of 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands, obtain the conversion gain of 6.222/5.231 dB, port-to-port isolation of ..."

"Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting dalam perancangan baik untuk aplikasi analog maupun digital. Dari studi literatur yang dilakukan, diketahui bahwa HBT SiGe yang dirancang untuk memperoleh f maksimal akan menghasilkan yang jauh dibawah nilai f tersebut, demikian pula sebaliknya. Salah satu contoh HBT SiGe yang dirancang untuk menghasilkan ft dan fmax sama tinggi adalah HBT SiGe IBM dengan ft maksimum 90 GHz dan fmax maksimum 90 GHz, yang dibuat dengan teknologi 0,18 µm.Pada penelitian ini dilakukan perancangan 1-BT SiGe agar dapat memberikan ft dan fmax lebih dari 130 GHz untuk teknologi 0,18 µm. Perancangan dilakukan dengan bantuan program simulasi divais Bipole3v4.6E.Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan, model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil fabrikasi. Kemudian dilakukan perancangan dimensi divais, profit doping pada emiter, basis dan kolektor serta profit Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang mempunyai ft dan fmax lebih dari 130 GHz.Dari hasil penelitian yang diperoleh terbukti bahwa: HBT SiGe dengan luas emitter 0,18 x 5 µm2, lebar emiter 9 nm, konsentrasi doping emitter maksimum 102 cm-3 pada sisi kontak menurun ke arah basis, lebar basis antara 27,7 - 31,5 nm, konsentrasi doping basis maksimum antara 8,5x1018 - 1019 cm-3 pada sisi emitter menurun ke arah kolektor, profit Ge segiempat dengan fraksi Ge 0,2, dan lebar kolektor 360 nm dengan profil selective implanted collector dapat menghasilkan frekuensi cutoff antara 130 - 134 GHz dan frekuensi osilasi maksimum antara 136 - 150 GHz."

"Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja frekuensi dan noise figure (fn) devais."