Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 2 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Riza Kurniawan
Rancangan surface-channel charge coupled devices dan buried-channel charge coupled devices dalam satu substrat
" Dalam penelitian ini Surface-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) dan Burred-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) yang memiliki karakteristik dan penerapan aplikasi yang berbeda dirancang di dalam satu substrat dengan konsentrasi impurity yang sama dan dapat difabrikasi dengan menggunakan sebuah wafer silikon saja. Rancangan ini dibuat di dalam wafer silikon tipe-p dan lapisan epitaksi tipe-n setebal 1,45 _m, panjang gate untuk SCCD dibuat 9 _m sedangkan untuk BCCD dibuat 12 um. Hasil simulasi divais pada pencatuan tegangan ... "
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1996
S38972
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Asih Kurniasari
Analisis rancangan vertical overflow drain (VOD) pada buried charge coupled device (BCCD) untuk menekan blooming dengan variasi konsentrasi impurity dan tebal p-well = Design analysis of vertical overflow drain (VOD) in buried charge coupled device (BCCD) to suppress blooming with impurity concentration and p-well width variations
" Kebutuhan akan sesuatu yang baru serta permintaan optimalisasi unjuk kerja dalam divais elektronika berkembang setiap saat. Salah satu penemuan yang sudah ada adalah divais Buried Charge Coupled Device (BCCD) yang dapat mengubah kuantitas analog seperti intensitas cahaya sebagai input menjadi sinyal listrik sebagai outputnya dalam bentuk gambar atau informasi lain. Salah satu permasalahan pada BCCD adalah peristiwa blooming. Blooming terjadi saat muatan, direpresentasikan sebagai photocurrent, yang ditampung dalam potential well berlebih melampaui batas tegangan knee ... "
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2010
S51196
UI - Skripsi Open  Universitas Indonesia Library