Hasil Pencarian

Ditemukan 8 dokumen yang sesuai dengan query

Moh. Zahron

Perancangan sensor tekanan dengan menggunakan struktur field effect transistor (FET) untuk daerah kerja 0-16 KPA

" Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET ... "

Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997

S38862

UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library

Mohamad Insan Nugraha

Field effect transistor berbasis colloidal nanocrystals

" Nanokristal semikonduktor inorganik banyak menarik perhatian karena memiliki sifat-sifat baru yang menarik dan berpotensi untuk diaplikasikan pada berbagai kegunaan seperti solar cell, light-emitting device, photodetector, transistor, dll. Munculnya sifat-sifat menarik tersebut disebabkan oleh ukuran nanokristal yang sangat kecil (2-20 nm) sehingga terjadi fenomena quantum confinement pada struktur energi elektronik material tersebut. Fenomena quantum ini menyebabkan banyak sifat dari nanokristal bergantung terhadap ukurannya, di antaranya pada sifat elektronik dan sifat optiknya. Sebagai contoh, Gambar 1 menunjukkan ... "

[s.l.]: [s.n.], 2013

MRS 1:1 (2013)

Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library

Veri Nata

Perancangan, analisa dan simulasi aplikasi VMOS (MIFG MOS) dengan karakteristik linier yang dimilikinya

" Neuron MOSFET (vMOS) atau disebut juga MIFGMOS (Multiple Input Floating Gate MOSFET) adalah divais yang mempunyai banyak input, sedangkan outputnya yang hanya satu merupakan fungsi kombinasi dari input-inputnya dan tergantung Bari pembobotan masing-masing input. Pada skripsi ini dibahas aplikasi dasar dari vMOS, perancangan salah satu aplikasi dasar divais neuMOS yaitu C-WOS inverter, analisa dan simulasi divais vMOS dengan menggunakan software aplikasi MathCAD6 PLUS. Hasil disain vMOS dasar yang dipergunakan di antaranya adalah divais dengan kapasitansi ... "

Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997

S38828

UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library

Blicher, Adolph

Field effect and bipolar power transistor physics

New York: Academic Press, 1981

621.381 5 BLI f

Buku Teks Universitas Indonesia Library

Towers, T.D.

Towers international FET selector

Blue Ridge Summit: Tab Books,, 1977

621.381528 TOW t

Buku Teks Universitas Indonesia Library

Richman, Paul

MOS field-effect transistor and integrated circuits

New York: John Wiley & Sons, 1973

621.381 RIC m

Buku Teks Universitas Indonesia Library

Defects in microelectronic materials and devices

Boca Raton: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009

621.381 DEF

Buku Teks Universitas Indonesia Library

El-Khatib, Ziad

Distributed CMOS bidirectional amplifiers: broadbanding and linearization techniques

" This book describes methods to design distributed amplifiers useful for performing circuit functions such as duplexing, paraphrase amplification, phase shifting power splitting and power combiner applications. A CMOS bidirectional distributed amplifier is presented that combines for the first time device-level with circuit-level linearization, suppressing the third-order intermodulation distortion. It is implemented in 0.13um RF CMOS technology for use in highly-linear, low-cost UWB radio-over-fiber communication systems ... "

New York: [Springer Science+Business Media , ], 2012

e204187171

eBooks Universitas Indonesia Library

Hasil Pencarian :: Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian