Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Rachman Soleman
Rancangan dioda laser GaInAsP/InP λ= 1,3 µm
" Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk ... "
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library