Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 2 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Anak Agung Ngurah Gde Sapteka
Karakteristik arus tegangan dioda P-I-N dan P-N silikon skala nano doping tinggi pada temperatur rendah = Current voltage characteristics of highly doped nanoscale silicon P-I-N and P-N diodes at low temperature
" Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, ... "
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2016
D2149
UI - Disertasi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Anak Agung Ngurah Gde Sapteka
Linear i-v characteristics of highly-doped soi p-i-n diode for low temperature measurement
" This report is focused on the linear region of I-V characteristics of nanoscale highly-doped p-i-n diodes fabricated within ultrathin silicon-on-insulator (SOI) structures with an intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm under a forward bias at a temperature range from 50 K to 250 K. The doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI p-i-n diodes are high, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively. The linearity of I-V characteristics of the p-i-n diodes ... "
Depok: Faculty of Engineering, Universitas Indonesia, 2015
UI-IJTECH 6:3 (2015)
Artikel Jurnal  Universitas Indonesia Library