Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Indium tin oxide (ITO) films have been prepared by do magnetron sputtering with different partial oxygen pressure from 4 mPa to 32 mPa and different of sputter power. The thickness of ITO films were found to be 529 nm - 796 nm. The effects of oxygen partial pressure and sputtering power on the optical properties of ITO films are investigated. From transmittance and reflectance spectra from 350 nm to 800 nm, we can determined the optical parameters by the minimal function method. A visible transmission of - 90% is obtained for 10 mPa oxygen partial pressure. The real refractive index n of ITO films and the energy gap were found 2.04 - 2.22 at λ 550 nm and 2.99 eV - 3.14 eV, respectively. Typical values for the extinction coefficient k at visible range were found to be 7x 10-4 - 7x10-2.

---

Lapisan indium timah oksida (ITO) telah dibuat dengan proses dc magnetron sputtering dengan tekanan parsial oksigen yang diubah-ubah dari 4 mPa - 32 mPa dan daya sputtering yang berbeda. Ketebalan lapisan ITO yang didapat berkisar antara 529 nm - 796 nm. Dilakukan studi mengenai pengaruh tekanan parsial oksigen serta pengaruh daya sputtering pada sifat optis lapisan tipis ITO. Dari spektrum reflektansi dan transmitansi diantara 350 nm - 800 nm, didapat parameter-parameter optis ITO dengan menggunakan metode fungsi minimal. Untuk tekanan parsial oksigen 10 mPa didapat nilai transmisi cahaya tampak 90% Nilai index bias real n lapisan ITO dan besar celah pita energi berturut-turut adalah 2,04 - 2,22 pada λ 550 nm dan 2,99 eV - 3,14 eV. Nilai index bias imajiner k yang didapat adalah 7x 10-4 - 7x10-2."

"Lapisan tipis indium timah oksida (ITO) dideposisikan pada substrat gelas corning dengan metode sputtering menggunakan gas argon. Parameter deposisi dan penambahan oksigen dalam gas sputtering dioptimasi untuk mendapatkan tingkat transparansi lapisan tertinggi dan resistivitas listrik terendah melalui pengamatan struktur, sifat listrik dan sifat optik. Peningkatan laju deposisi dan ketebalan lapisan menghasilkan perubahan orientasi kristalografi dari (222) ke (400) dan (440), serta peningkatan kekasaran permukaan lapisan. Pemanasan substrat sangat diperlukan untuk mendapatkan lapisan tipis dengan kristalinitas yang lebih baik. Nilai resistivitas lapisan cenderung naik dengan penambahan oksigen hingga 2% dalam gas sputtering , dengan nilai resistivitas terendah sebesar 5.36 x 10-4Ω?cm dapat dicapai pada ketebalan lapisan 750 nm. Semua lapisan tipis yang dideposisi pada penelitian ini menunjukkan transparansi lebih dari 85% sehingga memungkinkan untuk diaplikasikan pada divais fotovoltaik dan display.

---

Indium tin oxide (ITO) films were sputtered on corning glass substrate. Oxygen admixture and sputtering deposition parameters were optimized to obtain the highest transparency as well as lowest resistivity. Structural, electrical and optical properties of the films were then examined. In creasing deposition rate and film thickness changed the crystallographic orientation from (222) to (400) and (440), as well as higher surface roughness. It was necessary to apply substrate heating during reposition to get films with better crystallinity. The lowest resistivity of 5.36 x 10-4Ω?cm was obtained at 750 nm film thickness. The films resistivity was increased by addition of oxygen up to 2% in the argon sputtering gas. All films showed over 85% transmittance in the visible wavelength range, possible for applications in photovoltaic and display devices."

"Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil.

---

In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease."

"The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method.In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik.Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan."

"Lapisan indium timah oksida (ITO, 90wt% In203 - lOwt% SnO2) dengan ketebalan 349 - 1081 nm dan variasi tekanan parsial oksigen 2,2% - 10,5% selama deposisi telah berhasil dibuat dengan do magnetron sputering. Dilakukan studi mengenai pengaruh tekanan parsial oksigen dan anil udara pasca deposisi pada sifat optis lapisan tipis ITO. Tekanan parsial oksigen tidak berpengaruh pada derajat kristalinitas dan preferred orientation lapisan tipis. Parameter-parameter optis ditentukan dengan metoda Hishikawa yang mengabaikan interferensi. Anil udara pasca deposisi dilakukan berturut-turut pada suhu 250°C, 300°C, 350°C dan 400°C selama 1 jam di udara. Meskipun kekasaran permukaan meningkat selama anil, baik kenaikan tekanan parsial oksigen maupun anil udara pasca deposisi secara kumulatif umumnya menaikkan transmitansi dan celah pita energi disertai dengan penurunan indeks bias nyata dan pergeseran koefisien absorpsi menuju energi yang lebih tinggi. Pergeseran celah pita energi ITO hanya dapat dimengerti sebagai dua mekanisme yang saling berlawanan yaitu mekanisme pelebaran oleh efek Burstein-Moss dan mekanisme penyempitan oleh efek hamburan elektron. Atom-atom Sn yang mengalami aktivasi setelah anil udara berlaku sebagai donor-donor aktif pada pergeseran Burstein-Moss. Efek hamburan elektron disebabkan oleh kelebihan oksigen, derajat kristalinitas yang rendah dan kompleks-kompleks Sn yang tidak aktif.

---

Indium tin oxide (ITO, 90wt% In203 - 10wt% Sn02) films of 349 - 1081 nm thick have been deposited by dc-magnetron sputtering at varying oxygen partial pressure of 2.2% - 10.5% during deposition. The effects of oxygen partial pressure and post-deposition air annealing on the optical properties of ITO films are studied. The degree of crystallinity and preferred orientation of the films is found not to be sensitive to oxygen content. Optical parameters are determined by Hishikawa interference free method. Post-deposition annealing of ITO-coated glass substrates is performed at temperature of 250°C, 300°C, 350°C and 400°C respectively for 1 h in air. Despite the roughness developed on surface during annealing, both increase in oxygen partial pressure and cumulative post-deposition air annealing enhances transmittance and energy gap accompanied by a decrease of the real part of refractive index and a shift of absorption coefficient to higher energies. Band gap shifts can be understood as the net result of two competing mechanisms : a widening due to Burstein-Moss effect and a narrowing due to electron scattering. Sn atoms, which are activated after annealing, behave as effective donors and contribute to Burstein-Moss shift. Electron scattering is attributed to excess of oxygen content, low degree of crystallinity and inactive Sn complexes."