Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKAplikasi penggunaan tunnel-diode tidak hanya pada bidang gelombang mikro, tetapi juga berkembang dalam bidang lainnya seperti pada bidang multi state memory, Analog to Digital Converter. Untuk berbagai keperluan tersebut dibutuhkan tunnel-diode yang berbeda dalam spesifikasi dan materialnya.Dalam tesis ini bertujuan untuk melakukan penumbuhan lapisan tunnel-diode menggunakan bahan Indium Phospat. Penumbuhan lapisan ini merupakan dasar dari fabrikasi komponen mikroelektronika. Proses penumbuhan lapisan dilakukan dengan metode Epitaksi Fasa Cair yaitu metode penumbuhan lapisan kristalin dengan orientasi tertentu melalui fasa cair berupa larutan jenuh pada substrat kristal tunggal. Penumbuhan lapisan dilakukan menggunakan bahan Indium Phospat (InP) sebagai sumber dan Indium Seng (InZn) sebagai doping sehingga akan terbentuk lapisan kristal tunggal tipe-p diatas susbtrat InP tipe-n. Hasil penumbuhan menunjukkan bahwa penumbuhan lapisan tunnel-diode berhasil dilakukan.

---

Tunnel-diode not only at microwave application but have been developed at other field such as multi state memory, Analog to Digital Converter. For this reason need tunnel-diode with different specification and material.

In this thesis, growing a crystal layer on InP substrate using Liquid Phase Epitaxial method was made. Liquid Phase Epitaxial is the growth of an oriented crystalline layer of material from a saturated or supersaturated liquid solution onto a single crystal substrate. The growth can be used source material InP and doping material InZn until single crystal layer can be formed p-type InP onto n-type InP. The thickness of the layer grown can be measured using thickness measurement. "

"ABSTRAKPada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya. Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz. "

"ABSTRAKTesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel. "

"Water tunnel merupakan salah satu alat yang digunakan untuk melakukan penelitian mengenai fenomena-fenomena dinamika fluida. Water tunnel telah dibangun oleh mahasiswa Fakultas Teknik Mesin (ekstensi) pada tahun 2006 lalu. Jenis dari water tunnel tersebut adalah water tunnel horisontal. Penelitian yang telah dilakukan pada water tunnel tersebut adalah visualisasi aliran dengan menggunakan metoda gelembung hidrogen dan mengukur kecepatan aliran dengan metode fotografi. Namun demikian, ada beberapa hal yang perlu dilengkapi dimana salah satu halnya adalah pengambilan data kecepatan aliran untuk melihat profil kecepatan aliran pada test section water tunnel. Metoda yang digunakan pada pengambilan data kecepatan ini menggunakan metode tabung pitot, dengan memvariasikan ketinggian dari tabung pitot, menempatkan tabung pitot tersebut ke enam (6) titik penempatan yang berbeda, serta memvariasikan frekuensi dari pompa water tunnel ke 5 frekuensi. Hasil yang diperoleh dari penelitian ini menunjukkan bahwa: 1. Kecepatan fluida cenderung naik seiring dengan menjauhnya letak titik dari dinding test section. 2. Kecepatan fluida tertinggi didapat pada posisi tengah koordinat test section yaitu 2 dan 5 pada test section water tunnel. 3. Adanya 2 faktor yang dapat mengganggu keakuratan pengambilan data jika menggunakan metode tabung pitot, yaitu: Misalignment dari tabung pitot. Getaran dari Motor Pompa. 4. Dari hasil error analysis didapat angka ketidakpastian pengukuran kecepatan fluida berbeda-beda pada tiap titik pengukuran dengan nilai terbesar 0,03 atau 3%. 5. Metode tabung pitot dapat digunakan untuk mendapatkan karakterisasi profil kecepatan fluida pada test section water tunnel, meskipun untuk memudahkan pembacaan manometer harus menggunakan kamera digital. Tabung pitot sulit digunakan untuk mengukur kecepatan fluida dengan kecepatan rendah, harus menggunakan bantuan kamera digital untuk pembacan U manometer tabung pitot tersebut."

"Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrate silikon menggunakan teknik pengkabutan ultrasonik (USP) dengan variasi temperatur tumbuh. Analisis struktur menggunakan difraksi sinar-X menunjukan bahwa struktur dari lapisan tipis ZnO adalah polikristal. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan scanning electron microscopy (SEM), ketebalan dari lapisan tipis tidak homogen. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan atomic force microscopy (AFM), tingkat kekasaran (roughness) semakin berkurang ketika lapisan tipis dianil pada temperatur 800°C (tanpa anil 36.543 nm, setelah anil 24.754 nm). Sementara, berdasarkan pengukuran Hall, hambatan berkurang dengan penambahan temperatur tumbuh, mobilitas Hall bertambah dengan penambahan temperatur tumbuh, densitas pembawa muatan bernilai 1.18×1016 cm-3, 8.59×1015 cm-3, dan 9×1015 cm-3 ketika temperature tumbuh bertambah. Secara optik, spectrum photoluminisen menunjukan karakter spesifik dari ZnO, yaitu memiliki dua emisi ultraviolet (UV) dan cahaya tampak (hijau). Uji photoluminisen pada temperatur rendah untuk lapisan tipis ZnO tanpa anil, emisi UV dan cahaya tampak mengalami penambahan. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO dengan anil, puncak cahaya tampak mengalami penyusutan. Energi yang berasal dari defek teramati pada level 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, dan 2.46 eV - 2.55eV. Energi defek pada level 1.62 eV berasal dari transisi elektronik dari bawah energi pita konduksi ke vakansi oksigen (Vo). Energi defek yang berada pada interval 2.16 eV - 2.18 eV berasal dari interstisial oksigen sedangkan energi defek pada rentang 2.46 eV - 2.55eV berasal dari transisi elektron dari vakansi oksigen yang terionisasi ke pita valensi. Selanjutnya, telah didemonstrasikan salah satu aplikasi pada bidang optoelektronika, yaitu pembuatan divais struktur hetero lampu dioda berbasis ZnO yang mampu menghasilkan warna akibat dari fenomena impact excitation.

---

ZnO thin films have been deposited on top of Si substrate by ultrasonic spray pyrolisis (USP) at various growth temperatures. The structure analysis by X-ray diffraction shows that ZnO thin films has polycrystalline structure. The scanning electron microscopy (SEM) confirmed that the films thicknes are not homogenous. The atomic force microscopy (AFM) analysis shows the root means square (RMS) roughness of unannealed and atmosphere annealed (800°C) are 36.543 nm and 24.754 nm, respectively. According to Hall measurement, the resistivity of the films decreased with increasing temperatures. Hall mobilities increased when growth temperatures increased. The carrier density are 1.18×1016cm-3, 8.59×1015 cm-3, and 9×1015cm-3 when the temperatures 400°C, 450°C, and 500°C, respectively. Optically, the photoluminescence spectra shows typical of ZnO thin films which has two main peaks such as ultraviolet and green band.

The room temperature PL spectra show that the UV and green emission enhanced after annealing. At low PL spectra of annealed in atmosphere ambient, the green emission suppressed significantly. Some defect’s energy level were observed at 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, and 2.46 eV - 2.55eV. The defect’s energy level 1.62 eV should be attributed to the electronic transition from the bottom of conduction band to the oxygen vacancy (Vo). The defect’s energy interval about 2.16 up to 2.18 eV originate from oxygen interstitial (Oi) and the defect's energy level about 2.5 eV (2.46 up to 2.55 eV) originate from the electron transition from the level of the ionized oxygen vacancies to the valence band. Finally, the device based ZnO heterostructure light emitting diodes (LEDs) have been demonstrated. It’s able to emit multicolour due to impact excitation."

"ABSTRAKPada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

"