Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A."

"Telah ditumbuhkan lapisan tipis ZnO dengan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) yang menggunakan gas pereaksi dimethylzinc (DMZ) dan H2O. Gas B2H6 digunakan sebagai gas doping tipe-n dan diperoleh lapisan tipis dengan sheet resistivity sebesar 2,42 ohm/sqr pada ketebalan 4,47 pm. Diperoleh bahwa penambahan laju aliran B2H6 lebih lanjut dapat menurunkan sheet resistivity. Sifat optik lapisan tipis ZnO diamati dari pengukuran data transmitansi pada panjang gelombang mulai dari daerah ultraviolet, tampak sampai daerah infra-merah dekat. Celah pita optik diperoleh sebesar 3,10 eV. Diperoleh juga bahwa dengan penambahan laju aliran B2H6,, transmitansi pada panjang gelombang di atas 1100 rim menurun karena absorpsi pembawa muatan bebas"

"Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P."

"ABSTRAKSeng oksida (ZnO) telah diaplikasikan sebagai pemanas transparan. Namun, penelitian tentang mikrorod ZnO sebagai pemanas transparan belum dikembangkan. Pada penelitian ini dilakukan fabrikasi lapisan tipis mikrorod ZnO dengan metode chemical bath deposition. Material yang digunakan yaitu zinc nitrate tetrahydrate dan heksametilentetramine. Varibel pada penelitian ini yaitu konsentrasi larutan bibit sebesar 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, dan 0.050 M serta perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M. Karakterisasi mikrorod ZnO dilakukan dengan menggunakan XRD, FESEM, UV-Vis dan four point probe. Hasil penelitian menunjukkan peningkatan konsentrasi larutan mampu menurunkan celah pita energi, E_g mikrorod ZnO yaitu 3.60 menjadi 3.18 eV dan meningkatkan ukuran kristalit yaitu 41.541 hingga 95.076 nm. Diameter terbesar mikrorod ZnO yaitu 288.252 nm pada konsentrasi 0.015 M. Selain itu, peningkatan konsentrasi larutan menyebabkan transmitansi dan resistivitas turun yaitu masing-masing sebesar 72% menjadi 35% dan 0.787 x10^-4 menjadi 0.013 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M menyebabkan penurunan diameter dari 288. 252 menjadi 125.824 nm dan meningkatkan ukuran kristalit serta menurunkan E_g yaitu masing-masing 71.198 menjadi 165.696 nm dan 3.25 menjadi 3.19 eV. Selain itu, perlakuan hidrotermal menurunkan transmitansi dan resistivitas  yaitu masing-masing sebesar  50.5% menjadi 38% dan  1.126 x 10^-4 menjadi 0.833 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal menghasilkan pemanas transparan yang optimum.

---

Zinc oxide (ZnO) has been applied as a transparent heater. However, research on ZnO microrod as transparent heaters has not been developed. In this study, the fabrication of microrod ZnO was carried out by using the chemical bath deposition method. The material used is zinc nitrate tetrahydrate and hexamethylentetramine. The variables in this study were the concentration of seed solutions of 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, and 0.050 M and the hydrothermal treatment in the sample 0.015 M. The characterization of ZnO microrod was carried out using XRD, FESEM, UV-Vis and four point probes. The results showed an increase in solution concentration was able to reduce the energy band gap, E_g of ZnO microrod which is 3.60 to 3.18 eV and increase the size of the crystallite which is 41.541 to 95.076 nm. The largest diameter of ZnO microrod is 288.252 nm at a concentration of 0.015 M. In addition, an increase in the concentration of the solution causes transmittance and resistivity to decrease, from 72% to 35% and from 0.787 x10^-4 to 0.013 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment of 0.015 M sample caused a decrease in diameter from 288. 252 to 125.824 nm and increased the size of the crystallite and lowered Eg, from 71.198 to 165.696 nm and from 3.25 to 3.19 eV, respectively. In addition, it has decreases transmittance and resistivity from 50.5% to 38% and from 1.126 x 10^-4 to 0.833 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment produces optimum transparent heaters.

"

"ABSTRAKBi 2 Se 3 merupakan salah satu material topologi insulator (TI) yang telah menjaditopik yang menarik untuk menyelidiki sifat-sifat dari bahan tersebut, bukan hanyakarena sifatnya namun karena aplikasi untuk masa depan. Selama bertahun-tahun,penelitian bahan topologi insulator telah menjadi target pengembangan fotode-tektor untuk telekomunikasi, gambar medis, dan penciuman gas. Bahan topologiinsulator berbeda dengan metal dan insulator biasanya. Di bagian permukaan,bahan ini bersifat seperti metal, dan di sisi luarnya, bahan ini menunjukkan ciriseperti insulator dengan celah pita yang kecil. Dalam riset kali ini, DFT digunakanuntuk memperhitungkan sifat-sifat ground-state bahan ini. Sementara, untuksifat excited-state menggunakan teori many-body perturbation dikoreksi denganmenggunakan aproksimasi GW dan perhitungan spektrum absorpsi di terapkanmelalui persamaan BSE (Bethe-Salpeter Equation)untuk melengkapi studi efekdari interaksi elektron-elektron dan elektron-hole.

---

ABSTRACTBi 2 Se 3 , one of the topological insulators (TIs) has spawned a lot of interest tofurther investigate properties of this material, not only because of its naturalimportance, but also its applications for future devices. Over the past few years ap-plied research on TIs has been targeted to develop photodetectors of near-infraredwavelengths for telecommunication, medical imaging, and gas sensing. TI isdifferent from simple metal or insulator in the sense that the inside part is insulatingwhile its surface is metallic due to the presence of gapless surface states, meaningthat electrons can only move along the surface of the material. In this work, Densityfunctional theory (DFT) is used to calculate the ground state properties of Bi 2 Se 3.While its excited state properties are corrected within GW approximation and thecalculation on optical spectra are implemented by Bethe-Salpeter Equation (BSE)using many body perturbation theory (MBPT) to complete the study of the effectof electron-electron and electron-hole interactions."

"Heterostruktur SnWO4/ZnO berhasil disintesis menggunakan ekstrak daun kersen (Muntingia calabura L.) dan diamati aktivitas fotokatalitiknya terhadap fotodegradasi zat warna metilen biru dibawah sinar tampak. ZnO memiliki celah pita semikonduktor lebar dan relatif murah. Sementara SnWO4 merupakan material yang sangat menjanjikan untuk aplikasi fotokatalitik di daerah sinar tampak karena celah pita semikonduktor yang sempit meskipun laju rekombinasi photogenerated electrons-holes tinggi dan mobilitas elektron rendah. Kehadiran SnWO4 untuk membentuk heterostruktur dengan ZnO berhasil meningkatkan kinerja fotodegradasi terhadap zat warna metilen biru. Ekstraksi daun kersen dilakukan dengan metode maserasi dan dilakukan uji fitokimia untuk mendeteksi adanya metabolit sekunder seperti alkaloid, flavonoid, polifenol, dan tanin yang berperan dalam pembentukan SnWO4/ZnO. Hasil karakterisasi menggunakan Spektrofotometeri UV-Vis DRS menunjukkan heterostruktur SnWO4/ZnO memiliki nilai celah pita 2,68 eV yang dihitung berdasarkan persamaan Kubelka Munk. Konfirmasi terbentuknya SnWO4/ZnO dan struktur kristalnya melalui karakterisasi XRD dan identifikasi gugus fungsi melalui Spektrofotometri FTIR. Morfologi heterostruktur dan komposisi atom penyusun diamati melalui SEM-EDS. Aktivitas fotokatalitik SnWO4 murni, ZnO murni, dan SnWO4/ZnO dilakukan terhadap reaksi fotodegradasi zat warna metilen biru sebagai model polutan zat warna di bawah kondisi penyinaran dan tanpa penyinaran sinar tampak, serta kondisi dengan fotokatalis dan tanpa fotokatalis. Aktivitas fotokatalitik heterostruktur SnWO4/ZnO menunjukkan persentase degradasi terbaik 80,86 % dengan massa optimal 1 mg. Sementara SnWO4 dan ZnO murni memiliki nilai persentase degradasi masing-masing 69,48 % dan 40,41 %.

---

In this study, heterostructure SnWO4/ZnO has been successfully synthesized by Muntingia calabura L. leaf extract and it demonstrated good photocatalytic activities toward photodegradation of methylene blue under visible light. ZnO has a wide semiconductor bandgap and quite inexpensive. On the other hand, SnWO4 is a very promising material for photocatalytic applications in visible light areas due to its narrow semiconductor bandgap, despite high photogenerated electrons-holes recombination rates and low electron mobilities. The presence of SnWO4 to form heterostructures with ZnO successfully enhancing its photodegradation performance of methylene blue dyes. Muntingia calabura L. leaf extraction was performed by maceration method and a phytochemical test is conducted to detect the presence of secondary metabolites such as alkaloids, flavonoids, polyphenols, and tannins that play a role in the formation of SnWO4/ZnO. Characterization of the materials using UV-Vis DRS Spectrophotometer showed that SnWO4/ZnO has 2,68 eV bandgap value based on the Kubelka Munk equation. Confirmation of SnWO4/ZnO and its crystalline structure through XRD characterization and the identification of functional groups via FTIR Spectrophotometry. Heterostructure morphology and the atomics constituent composition of SnWO4/ZnO are observed through SEM-EDS. The photocatalytic activities of pristine SnWO4, pristine ZnO, and heterostructure SnWO4/ZnO were conducted toward degradation of methylene blue dyes as a model of dyes pollutant under irradiation conditions and without visible irradiation as well as conditions with photocatalysts and without photocatalysts. Photocatalytic activities of SnWO4/ZnO heterostructure show the best degradation percentage of 80.86 % with an optimal photocatalyst mass of 1 mg. While pristine SnWO4 and ZnO have percentage degradation values of 69.48% and 40.41% respectively."

"The Optical Properties of Cadmium Sulfide Thin Films Prepared by co-evaporation Deposition Methods of CdS and Sulfur. Cadmium Sulfide Thin Films have been deposited by thermal co-evaporation methods of CdS + S. The films were prepared on glass substrate and were varied by changing these deposition rates into 4-16 AIs. The thickness of the films and the real part of refractive indexes have been determined based on interference method using maximum and minimum of reflectance spectrum. The optical parameters a of these films have been determined by reflectance and transmittance spectrum using Hishikawa formulation of T/(1-R). The real part of refractive index and optical parameter a reduce with the higher deposition rate for transparency region - (E<2.6 eV). The optical gap almost did not show a certain tendency by deposition rate variation. The complex dielectric functions of these films reflect the real part of refractive indexes and extinction coefficients.

---

Lapisan tipis CdS telah dideposisi dengan metode co-evaporasi termal CdS+S. Lapisan tipis dideposisi di atas substrat kaca dan divariasi laju deposisinya 4 -16 AIs. Ketebalan dan indeks bias lapisan tipis ditentukan berdasarkan prinsip interferensi dengan menggunakan maksimum dan minimum spektrum reflektansi. Parameter optis a lapisan tipis ditentukan dari spektrum reflektansi dan transmitansi dengan menggunakan formulasi Hishikawa T/(1-R). Indeks bias rill dan parameter optis a berkurang dengan meningkatnya laju deposisi di daerah transparan (E < 2.6 eV). Gap optis tidak menunjukkan kecenderungan tertentu dengan variasi laju deposisi. Fungsi dielektrik kompleks lapisan tipis CdS mewakili indeks bias riil dan koefisien ekstinksi."

"Film tipis ZnO telah dideposisi dengan metode evaporasi termal. Film tipis dideposisi di atas substrat kaca pada laju deposisi 4, 6 dan 8 A/s serta dianil di udara pada temperatur 200, 300 don 400 °C selama 1 jam. Parameter optis ditentukan dari spektrum rejlektansi dan transmitansi dengan menggunakan fungsi minimal. Hasil yang diperoleh adalah indeks bias riil n dan koefisien absorpsi a cenderung berkurang dengan bertambahnya laju deposisi dan temperatur anil. Lebar gap optis juga menunjukkan kecenderungan berkurang dengan bertambahnya laju deposisi, sedangkan variasi temperatur anil memberikan pengaruh yang berbeda pada labar gap. Pada temperatur anil 200 °C lebar gap bertambah besar tapi setelah dianil 300 dan -100 °C lebar gap cenderung makin berkurang. Sedangkan dari pengamatan menggunakan XRD diketahui hahwa film tipis ZnO yang dihasilkan berstruktur amorf"

"Metode analisa kuantitatif terhadap polimer terns dikembangkanmengingat betapa meningkatnya kebutuhan polimer di masyarakat. Salahsatu metode yang digunakan adalah metode analisa kuantitatif spektroskopiIR. Metode ini mudah , cepat, dan relatif lebih murah.dibanding metodeanalisa polimer lainnya. Penelitian ini bertujuan mengembangkan metodeanalisa kuantitatif IR untuk menentukan komposisi kopolimer dalam hal iniadalah kopolimer propilen-etilen blok (KPEB) dan derajat poiimerisasi (MSLiK peRPU5TAi