Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penelitian ini bertujuan memperoleh informasi karakteristik lapisan tipis GaSb. Bahan yang digunakan adalah bagian ujung ingot GaSb. Penumbuhan lapisan tipis GaSb dilakukan secara evaporasi termal, sedangkan karakterisasi micro menggunakan diliaksi sinar-X dan four point probe. Hasil analisis lapisan tipis GaSb substrat kaca pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, struktur kristal kubus terpusat sisi (FCC) dengan konstanta kisi (a) berkisar antara 6,52 A - 6,58 A; dan 6,52 A - 6,53 A. Hasil analisis kelistrikan menunjukkan bahwa resistivitas (p) 4,225 - 5,385 X 104 Ώ cm, dengan tipe n; dan 1,105 X 10-4 0 cm dengan tipe p. Pada pernanasan substrat 200°C resistivitas (p) = 1,26 X Ώ cm dengan tipe n; 1,40 X 104 Ώ cm dengan tipe p dan 1,40 X 10--l Ώ cm dengan tipe n-p. Hasil analisis substrat corning pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, strukiur kristal kubus terpusat sisi (-FCC) dengan konstanta kisi a= 6,56 A; dan 6,24 A."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.

---

(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."

"ABSTRAKFeCoNi merupakan paduan ternari berbasis logam transisi merupakan bahan magnet lunak memiliki nilai magnetisasi total yang tinggi, ketahanan korosi dan kestabilan termal yang tinggi dan memiliki potensi aplikasi yang luas pada berbagai perangkat elektronik. Pada saat ini, perkembangan perangkat elektronik semakin maju, misalnya pada perangkat portable modern, menuntut bahan magnetik yang tidak hanya tipis namun juga fleksibel. Dalam penelitian ini, dikembangkan metoda sintesis paduan FeCoNi dalam bentuk lapisan nanostruktur dengan teknik elektrodeposisi pada substrat fleksibel yaitu polietilen PET yang dilapisi material konduktif indium tin oksida ITO . Pengaruh kondisi reaksi seperti tegangan ko-deposisi, komposisi elektrolit, dan penambahan bahan kimia aditif masing-masing cetyltrimethylammonium bromide CTAB dan sakarin dikaji peranannya dalam pembuatan lapisan tipis FeCoNi di atas substrat tersebut.Kajian elektrokimia yang telah dilakukan dalam sel tiga elektroda menunjukkan bahwa inisiasi ko-deposisi Fe, Co dan Ni dari elektrolit 1 0,005 M Fe2 , 0,0020 M, Co2 dan 0,170M Ni2 terjadi pada tegangan overpotential -0,95 V. Penambahan sakarin dalam sistem elektrolit tidak memberikan pengaruh besar terhadap kenaikan overpotential sistem. FeCoNi kemudian dideposisikan pada tegangan -1,00 s/d -2,00 V. Deposit FeCoNi yang dihasilkan membentuk lapisan tipis dengan ketebalan 155 nm dengan permukaan yang halus dan rata serta mengkilap. Hasil-hasil karakterisasi membuktikan bahwa fasa tunggal dari larutan padat FeCoNi telah berhasil disintesis dalam bentuk partikel-partikel halus berkuran 40-180 nm. Larutan padat berupa kristalit FeCoNi berukuran antara 10-22 nm, terbentuk dengan struktur kristal FCC. Kehadiran aditif sakarin dalam elektrolit berperan dalam mengontrol ukuran kristalit FeCoNi. Selain itu, penambahan sakarin juga telah merubah morfologi partikel dari bentuk spherical menjadi equi-axed, menghasilkan mikrostruktur deposit yang lebih kompak bebas retakan pada lapisan. Hasil analisis terhadap sifat magnetik menunjukkan bahwa lapisan tipis FeCoNi hasil sintesis memiliki karakteristik magnet lunak dengan koersivitas terkecil mencapai 0,2 Oe. Lapisan tipis FeCoNi yang diperoleh secara eksperimental memiliki nilai magnetisasi total pada rentang 81 - 121 emu/gram sesuai dengan kondisi reaksi yang digunakan. Perubahan sifat magnetik bahan dipengaruhi oleh kandungan Fe dan Ni dalam lapisan FeCoNi.

---

ABSTRACTFeCoNi is a transition metal based alloy possesses excellent soft magnetic characteristics with a high magnetic saturation value, a low coercivity, highly corrosion resistant and a very good thermal stability. Current growth of today rsquo s electronic devices demands alloys which are not just very thin magnetic films, but must also be flexible magnetic films. In this study, synthesis of magnetic thin film of FeCoNi alloy was carried out onto a flexible substrate of polyethylene PET coated with a conductive layer of indium tin oxide ITO using electrodeposition technique. The influence of reaction conditions like co deposition potentials, electrolyte compositions, and cetyltrimethylammonium bromide CTAB and saccharine additives on the growth and properties of the FeCoNi thin film were investigated.Electrochemical studies performed in a three electrode cell showed that initial co deposition of Fe, Co and Ni from electrolyte 1 0,005 M Fe2 , 0,0020 M, Co2 and 0,170M Ni2 take place at over potential of 0,95 V. The addition of additives and the increase of Fe2 concentration were found to slightly shift the initial co deposition to a more negative potential. The mirror like film of FeCoNi with a thickness of 155 nm was electrodeposited successfully at a co deposition potential range of 1.00 to 2.00 V. Microstructure analysis revealed that single phase of the FeCoNi solid solution was successfully grown on the substrate in the form of fine particles of 40 180 nm. The obtained solid solution was composed by nanocrystalline of face centered cubic FCC FeCoNi with the average of crystallite size of 10 22 nm. The presence of saccharine in the electrolyte was beneficial to control crystallite size and changed particles shape from spherical to to equi axed resulted in more compact film. These conditions were believed to impede crack that found on the film electrodeposited without saccharine. The synthesized FeCoNi thin film exhibited soft magnetic properties at which the low coercivity was 0.2 Oe. Magnetic saturation of the films varied between 81 to 121 emu gram, depending on the co deposition condition. The change of magnetic properties was attributed to Fe and Ni content."

"ABSTRAKTiN material yang popular sebagai protective coating pada tools karena mempunyai hardness sekitar 2200 VHN. Pelapisannya pada Stainless steel kami lakukan dengan metoda sputtering reaktif dimana selain gas Argon sebagai gas sputter juga diniasukkan gas Nitrogen yang diharapkan bereaksi Nitridasi dengan atom atom tersputter Titanium menjadi Titanium Nitrida pada substrat yang dipanaskan. Pada penelitian tahap kedua ini dibuat beberapa sampel Stainless Steel dilapisi lapisan tipis TiN Titanium Nitrida secara sputtering reaktitf dengan menggunakan modifikasi pada Universal Coating Machine Leybold Haeraus UNIVEX 300. Dengan menggunakan modifikasi geometris lingkungan terbatas dan penyempumaan sistim pemanasan sampel dihasilkan beberapa sampel yang baik. Secara umum peningkatan kekerasan melebih 200persen max. 669persen pada Stainless Steel; yang mana jauh lebih baik dari hasil penelitian Tahap I yang hanya menghasilkan peningkatan maksimum 95persen. Demikian pula hasil-hasil ini jauh lebih reprodusibel dibandingkan dengan hasil penelitian Tahap I hampir semua sampel jadi. Karakterisasipun telah bertambah dengan XRD dengan hasil yang memuaskan. Sekalipun demikian dijumpai kendala-kendala baru yang semakin menantang: 1 Daya lekat beberapa sampel tidak baik mengelupas. 2. Pemanasan hanya mencapai 300 C dan berefek samping kerusakan beberapa komponen penting sistim vakum. 3. Flowmeter gas kurang peka kalanya. Ini semua akan diupayakan jalan pemecahannya pada penelitian Tahap III yang akan di titik beratkan pada penyempumaan teknik fabrikasi dan solusi kendala kendala tersebut. Demikian pula akan ditambahkan karakterisasi dengan SEM."

"Lapisan tipis Keramik Alumina pada substrat Aluminium Alloy dibuat dengan metoda pelapisan Sputtering RF Magnetron. Pelapisan dilakukan pada tekanan dasar sistem 1.7 - 3.3 x 10-5 torr dan tekanan gas Argon saat pelapisan berlangsung dipertahankan sekitar 15 mtorr. Komposisi Atomik Substrat sebelum pelapisan diuji dengan SEM/EDAX hasilnya adalah 69 % Al - 28 996 Si - 2.5 % Mg dan terdapat unsur Fe dan Ni yangjumlahnya kurang dari 1%. Sedangkan Target mempunyai fasa a-A1203 yang dianalisa deNgan menggunakan XRD. Pada pelaksanaan Pelapisan dibuat tiga jenis ketebalan yaitu: 3100 A° , 5600 A° dan 8550 A°. Mengingat pengukuran ketebalan pada saat pelapisan kurang memuaskan, dilakukan uji ketebalan dengan menggunakan ellipsometer dan perhitungan hasil uji spectrophotometer. Dilakukan proses anil sampai temperatur 12003 C terhadap sampel hasil pelapisan tujuannya untuk mendapatkan Alumina kristal [9]. Secara visual, morfologi permukaan pada sampel baik sebelum pelapisan rnaupun setelah pelapisan dapat dilihat dengan menggunakan foto optik dan SEM. Pengujian dengan XRD terhadap hasil pelapisan baik sebelum proses anil maupun sesudah dilakukan anil tidak menunjukkan sistem krisialin, hal ini diperkuat dengan hasil analisa SEM. Hasil Kekerasan (mikro hardness) menunjukkan bahwa hasil pelapisan lebih keras dibandingkan substrat sebelum dilapisi, selain itu makin tebal lapisan nilai kekerasan makin bertambah."

"Telah dilakukan pengamatan mengenai dinamika domain wall pada bahan Permalloy berbentuk nanowire dengan menggunakan software simulasi mikromagnetik OOMMF berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG). Pengamatan dinamika domain wall dilakukan pada nanowire dengan panjang 2000 nm, variasi lebar dari 100 sampai 200, dan variasi ketebalan 2,5 nm dan 5,0 nm dibawah pengaruh medan magnet luar dalam bentuk pulsa. Kecepatan domain wall bertambah ketika medan magnet luar yang diberikan di perbesar dan kemudian mengalami penurunan scara drastis setelah medan magnet luar yang diberikan melampaui medan magnet kritis yang di sebut medan Walker breakdown. Sebelum medan magnet luar yang diberikan melebihi nilai medan Walker breakdown, domain wall bergerak dengan mempertahankan struktur transverse. Setelah melampaui nilai medan Walker breakdown, struktur transverse pada domain wall mengalami perubahan menjadi struktur vortex/anti-vortex.

---

We have investigated the domain wall dynamics in Permalloy material with nanowire shape using public micromagnetic simulation software, OOMMF based on the Landau-Lifshitz-Gilbert equation. We have observed domain wall dynamic for different thickness and width respect to external magnetic field. Domain wall velocity increases as the external magnetic field increase and abruptly decreases after critical field which is called Walker breakdown field. Before Walker breakdown, domain wall moving while keeping transverse inner structure, and after Walker breakdown, transverse inner structure transform to vortex/anti-vortex inner structure."

"Lapisan tipis merupakan salah satu produk rekayasa material modern. Keburuhan penggunaan lapisan tipis meluas ke berbagai bidang,terutama bidang elektronik. Cerium Oksida sebagai salah satu material logam tanah jarang memiliki peluang pengembangan yang cukup menjanjikan untuk aplikasi lapisan. tipis di Indonesia. Teknologi yang digunakan untuk menghasilkan lapisan tipis yang cukup berkualitas adalah teknik sputtering. Teknologi ini relatif mudah dan murah. Penelitian ini berusaha menemukan penga~h durasi waktu pemrosesan terhadap struktur mikro dari lapisan tipis Ce02 Lapisan tipis diperoleh dengan proses deposisi sputtering diatas substrat kaca dengan variabel waktu 1,75 jam, 2 jam dan 3 jam. Suhu substrat 30f1'C. Kemudinn setelah proses deposisi selesai, sampel diberi perlakuan panas 30/fC selama 1 jam untuk memudahkan pengamatan struktur mikronya. Karakterisasi struktur mikro dila/mkon dengan pengujian SEM dan XRD, pengujian EDAXS dilakukan untuk memastikan unsur elemen yang menyusun lapisan tipis. Hasil pengujian dari setiap sampel dibandingkan dari segi krista/initas dan morfologi permukaannya. Dari perbandingan hasil XRD d,an standar JCPDS diperoleh kesesuaian parameter kisi, indeks miller, kemudian komposisi dari variasi ' orientasi kristal yang ada dihitung dari luas daerah dibawah puncak. Hasil penelittan menunjukkan bahwa penurunan variasi orientasi krisJal dan penghalusan butir muncul seirin;i dengan bertambahnya durasi waktu deposisi/pemrosesan. Kristal yang terbentuk adalah polikristalin, kubik dan kompleks (FCC-Iwmp/eks/ non-bravais). Kristalinitas terbaik diperoleh pada sampel 3 jam pada orientas i(200). Selama proses penwnbuhan, terjadi rekristalfsasi dan evolusi bidang kristal."