Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Jenis kecenderungan ikatan lokal atomik lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Sit-rCx: H) hasil deposisi sputtering dengan target grafit dan silikon telah ditentukan dengan menggunakan prosedur minimasi. Prosedur minimasi dilakukan terhadap fungsi dielektrik kompleks hasil eksperimen dengan fungsi dielektrik kompleks model tetrahedron yang dikembangkan oleh Mui-Smith. Lapisan tipis a-Si1-xC1:H yang dihasilkan dengan target grafit memiliki kecenderungan ikatan lokal atomik CD (chemically disordered) sedangkan hasil dart target silikon memiliki jenis kecenderungan ikatan lokal atomik CORD (chemical ordering with homogeneous dispersion). Kehadiran void pada lapisan tipis a-Si1-xCx: H untuk kedua jenis target juga dapat diketahui dari prosedur minimasi. Jumlah void yang cenderung konstan pada lapisan tipis yang dihasilkan dengan target grafit mendukung hasil para peneliti lain bahwa jumlah void bukan dipengaruhi oleh peningkatan konsentrasi karbon tetapi karena peningkatan hydrogen. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan menggunakan target grafit memiliki jumlah void yang lebih tinggi dibandingkan lapisan tipis yang dihasilkan dart target silikon atau lapisan tipis yang dihasilkan dengan target silikon lebih kompak dibandingkan hasil target grafit.

---

Determination of Local Atomic Bonding Preferences of Amorphous Silicon Carbon Deposited by 2 Sputtering Targets : Graphite and Silicon. The preferences of local atomic bonding of amorphous silicon carbon films deposited by graphite and silicon target has been determined by minimizing procedure. The experimental complex dielectric function has been minimized by complex dielectric function model developed by Mui-Smith. The preferences of local atomic bonding for films deposited by graphite target was chemically disordered (CD) whereas for films deposited by silicon target was chemical ordering with homogeneous dispersion (COHD). Minimization procedure shows the presence of voids in the films for both silicon and graphite targets. The monotonic behavior of voids with carbon concentration for films deposited by graphite target agree with other's researcher results that the amounts of void are not influenced by increasing carbon concentration but are influenced by hydrogen concentration. The films deposited by graphite target contain more voids than silicon target or films deposited by silicon target have a compact structure than graphite target."

"Lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) dideposisi dengan metode de sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias sebagai fungsi energi diperoleh dari hasil pengukuran transmisi. Indeks bias akan dianalisis terhadap sifat struktur (inframerah) dan komposisi (electron probe microanalysis/EPMA, Rutherford BackscatteringIRBS). Baik hidrogen maupun karbon keduanya memberikan pengaruh terhadap berkurangnya harga indeks bias dengan bertambahnya flow rate gas metan. Berkurangnya harga indeks bias, hubungannya dengan kepadatan material dan struktur ikatan Si-H, C-H dan Si-C akan didiskusikan"

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."