Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Densitas keadaan elektron a-Si_1-xC_x, and a-Si_1-xH_y telah dihitung untuk seluruh konsentrasi karbon dan beberapa konsentrasi hidrogen (0≤y≤0.5). Struktur atom dimodelkan dengan struktur acak kontinu yang menghubungkan atom Si, C dan H. Keadaan elektron diperoleh dengan menyelesaikan Hamiltonian tight binding kisi Bethe dengan pendekatan medan efektif. Metode Gomez-Santos dan Verges digunakan untuk memperoleh perata-rataan DOS yang memperhitungkan ketidakteraturan diagonal dan off diagonal serta ketidakteraturan parameter SRO (short range order). Model struktur yang digunakan berdasarkan konfigurasi tetrahedral dari atom Si dan C serta konfigurasi trigonal dari atom C. Kehadiran hidrogen menyebabkan pergeseran ujung atas pita valensi ke energi yang lebih rendah sehingga mengakibatkan pelebaran gap pada a-Si_1-xH_y, a-C_1-yH_y(C-sp³) dan a-C_1-yH_y (C-sp²). Pergeseran ujung atas pita valensi ke energi yang lebih rendah juga terjadi dengan kenaikan konsentrasi karbon pada a-Si_1-x, Cx(C-sp³). Pergeseran ujung atas pita valensi yang berbeda terjadi pada a-Si_1-x Cx (C-sp²) yang bergeser ke energi yang lebih tinggi. Selain itu ujung bawah pita konduksi juga bergeser ke energi yang lebih tinggi. Kenaikan lebar gap yang lebih tinggi terjadi untuk konfigurasi karbon berikatan tetrahedral sp³ dibandingkan konfigurasi karbon berikatan trigonal sp2. Kehadiran hydrogen dan karbon secara bersamaan pada aSi_1-xC_x:H_y(C-sp³) dan a-Si C_1-xC_x (C-sp²) meningkatkan lebar gap. Peningkatan fraksi karbon dalam bentuk grafit meningkatkan lebar gap a-Si_1-x C_x (C-sp² dan C-sp³) sampai konsentrasi karbon x=0.6. "

"Kerapatan keadaan vibrasi lokal dan fungsi korelasi pada beberapa struktur ikatan di dalam silikon karbon amorf (a-Si1-xCx:H) telah hitting dengan menggunakan model potensial Born dan metode "cluster" kisi Bethe. Mode-mode vibrasi lokal yang disebabkan oleh unit monohidrit (SiH dan CH), dihidrit (SiH2 dan CH2), dan trihidrit (SiH3 dan CH3) telah diidentifrkasi. Studi dilakukan pada dua jenis distribusi atom-atom penyusun bahan amorf yaitu "random sequence" dan "chemically ordered". Skema interpolasi digunakan untuk mendiskripsikan probabilitas ikatan dengan rasio percabangan pohon Cayley. Mode-mode vibrasi yang disebabkan keberadaan atom H di dalam pita fonon bulk silikon karbon sangat dipengaruhi oleh jenis atom tetangga terdekat kedua dari atom H. Mode-mode vibrasi yang disebabkan keberadaan atom H di luar pita fonon bulk silikon karbon hampir tidak dipengaruhi oleh jenis atom tetangga terdekat kedua dari atom H Hasil perhitungan yang diperoleh sesuai dengan data-data eksperimen.

---

Vibration Local Modes of Amorphous Silicon Carbon (a-Si1-xCx:H): Theoretical Study by Using Cluster Bethe Lattice Methods. Local vibrational density of states and correlation function for various bonding structures in amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx:H) have been calculated by employing Born potential models and cluster Bethe lattice method . The local modes induced by the monohydride (SiH and CH), dihydride (SiH2 and CH2), and trihydride (SiH3 and CH3) units are identified The study has been made for two types of distributions of constituent atoms of the alloy: a random sequence and a chemically ordered The interpolation scheme can relate the bonds probabilities to the branching ratios of a Cayley tree. The vibration modes induced by H atoms inside the bulk phonon region of an amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx) are influenced very much by the presence of the kind of atoms lying on the next-nearest-neighboring sites of the H atom. On the other hand, the modes induced by H atoms lying outside the bulk phonon region of an amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx) are nearly undisturbed by the presence of the kind of atoms lying on the next-nearest neighboring sites of the H atom. The calculated results are in a good agreement with the available experimental data."

"Jenis kecenderungan ikatan lokal atomik lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Sit-rCx: H) hasil deposisi sputtering dengan target grafit dan silikon telah ditentukan dengan menggunakan prosedur minimasi. Prosedur minimasi dilakukan terhadap fungsi dielektrik kompleks hasil eksperimen dengan fungsi dielektrik kompleks model tetrahedron yang dikembangkan oleh Mui-Smith. Lapisan tipis a-Si1-xC1:H yang dihasilkan dengan target grafit memiliki kecenderungan ikatan lokal atomik CD (chemically disordered) sedangkan hasil dart target silikon memiliki jenis kecenderungan ikatan lokal atomik CORD (chemical ordering with homogeneous dispersion). Kehadiran void pada lapisan tipis a-Si1-xCx: H untuk kedua jenis target juga dapat diketahui dari prosedur minimasi. Jumlah void yang cenderung konstan pada lapisan tipis yang dihasilkan dengan target grafit mendukung hasil para peneliti lain bahwa jumlah void bukan dipengaruhi oleh peningkatan konsentrasi karbon tetapi karena peningkatan hydrogen. Lapisan tipis yang dihasilkan dengan menggunakan target grafit memiliki jumlah void yang lebih tinggi dibandingkan lapisan tipis yang dihasilkan dart target silikon atau lapisan tipis yang dihasilkan dengan target silikon lebih kompak dibandingkan hasil target grafit.

---

Determination of Local Atomic Bonding Preferences of Amorphous Silicon Carbon Deposited by 2 Sputtering Targets : Graphite and Silicon. The preferences of local atomic bonding of amorphous silicon carbon films deposited by graphite and silicon target has been determined by minimizing procedure. The experimental complex dielectric function has been minimized by complex dielectric function model developed by Mui-Smith. The preferences of local atomic bonding for films deposited by graphite target was chemically disordered (CD) whereas for films deposited by silicon target was chemical ordering with homogeneous dispersion (COHD). Minimization procedure shows the presence of voids in the films for both silicon and graphite targets. The monotonic behavior of voids with carbon concentration for films deposited by graphite target agree with other's researcher results that the amounts of void are not influenced by increasing carbon concentration but are influenced by hydrogen concentration. The films deposited by graphite target contain more voids than silicon target or films deposited by silicon target have a compact structure than graphite target."