Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 7657 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Parlinggoman, Rony Humala
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 1995
TA144
UI - Tugas Akhir  Universitas Indonesia Library
cover
Blicher, Adolph
New York: Academic Press, 1981
621.381 5 BLI f
Buku Teks  Universitas Indonesia Library
cover
Imran Syahrizal
"Trafo merupakan salah satu aset transmisi yang berfungsi menyalurkan daya dari tegangan tinggi menjadi tegangan rendah ataupun sebaliknya pada frekuensi yang sama. Pada dasarnya trafo akan mengalami pemburukan, baik karena lama operasi, pembebanan yang tinggi, terkena gangguan maupun perubahan suhu lingkungan. Hal ini mengakibatkan pemburukan material isolasi, kerusakan salah satu komponen trafo yang mengakibatkan penurunan efisiensi trafo. Pada tahun 2022, trafo #3 GI Angke terhitung sudah beroperasi selama 28 tahun, sementara PLN menetapkan umur operasi trafo yang berusia di atas 25 tahun termasuk dalam kategori tua. Dari pengujian terakhir, diperoleh hasil inspeksi level 2 menunjukkan isolasi minyak trafo mengandung etana yang termasuk dalam kategori kondisi 4 (tidak baik). Selanjutnya hasil inspeksi level 3 juga  memperlihatkan adanya pemburukan isolasi bushing dengan hasil uji tan delta fasa S bernilai 1,38% dan tan delta belitan sekunder - ground bernilai 1,62%. Apabila tidak dilakukan tindakan perbaikan, dikhawatirkan trafo akan mengalami breakdown. Tindakan perbaikan yang bisa dilakukan meliputi perbaikan komponen trafo ataupun penggantian trafo secara keseluruhan mengingat usianya yang sudah tua. Untuk memutuskan tindakan mitigasi yang cocok, maka dilakukan analisis risk, cost dan benefit menggunakan analisis multikriteria. Harapannya, trafo #3 GI Angke tetap dapat beroperasi optimal dan andal.

The power transformer is one of the leading electrical instruments used to transmit electrical power between generators to adjust the voltage without changing its frequency. Like any other machine, the power transformer will experience degradation over time. High loading, external factors and environmental temperature could lead to faster degradation. This degradation usually affects transformer isolation material. Degradation of this component furthermore will decrease power transformer efficiency. In 2022, power transformer #3 of GI Angke has been used for 28 years, while PT PLN (Persero) has decided that power transformers that have been operating for over 25 years fall into the category of the old machine and need to be replaced. The last asset wellness maintenance data showed that ethane was found in the oil insulation in the second level inspection. The third level inspection also showed degradation of bushing insulation with the tan delta test result showing the value of 1.38% and tan delta of winding result is 1,62% . Asset wellness management is needed in this situation to ensure stability. There are two mitigation options available, to repair some components of transformers which  are online oil filters and bushing replacement and or replace the power transformer altogether. Risk, cost and benefit analysis using a multicriteria approach is used in choosing the best mitigation approach for PT PLN (Persero)."
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2022
T-pdf
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Deddy Sujatman
"Pada dasarnya alai penguji yang dibuat melakukan pengujian dengan menguji faktor penguatan DC dari transistor yang diuji (device under test). Hal ini dilakukan dengan membandingkan arus basis basil pengujian untuk tegangan Vcr.: dan arcs kolektor tertentu dengan batas atas dan bawah anus basis yang ditentukan. Pengaturan acuan-acuan pengujian dilakukan melalui pengaturan saklar-saklar yang secara khusus dapat dikonfigurasikan untuk transistor-transistor yang berbeda. Berbagai konfigurasi saklar-saklar ini kemudian dapat dibuat menjadi suatu Label kondisi atau posisi saklar-saklar (switches condition table). Sehingga pada akhirnya, slat yang dibuat dapat mendeteksi transistor yang lolos (pass), dan yang gagal (fail) yang terdiri dari produk yang diluar batasan (out of range), terbuka (open), terhubung singkat (short), terbalik (reverse), yang tidak sesuai dengan tabel kondisi. Alat yang dibuat berfungsi melalui pemicu luar selain melalui kendali manual yang terdapat pada unit alat penguji, serta menghasilkan suatu keluaran yang mengindikasikan hasil pengujian yang dapat dipantau melalui tampilan pada panel penguji dan alat pemantau luar. Sehingga keluaran tersebut dapat digunakan oleh alat-alat lainnya untuk melakukan fungsinya. Pada prototipe alat penguji yang dibuat ini, alat pemicu dan pemantau luar tersebut adalah PLC tipe CQMI buatan OMRON."
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
S40143
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Rodriguez-Villegas, Esther
"This new book demonstrates how FGMOS transistors can be used in a low voltage and low power design context. The techniques used provide innovative solutions, often in situations where the limits of the technology in question have been pushed far below the values recommended by the manufacturer.
Motivated by consumer demand for smaller, more portable electronic devices, which offer more features and operate for longer on their existing battery packs, cutting edge electronic circuits need to be even more power efficient. This requires the circuit designer to have an understanding of the latest low voltage and low power (LV/LP) techniques which makes use of the floating gate MOS (FGMOS) transistor."
London: Institution of Engineering and Technology, 2006
e20451657
eBooks  Universitas Indonesia Library
cover
Kristian Wahyudi
"Penggunaaan Single Electron Transistor SET merupakan salah satu pendekatan yang dilakukan untuk menggantikan penggunaan transistor. Meskipun SET memiliki ukuran divais dan konsumsi daya yang lebih kecil dibanding transistor biasa, suhu operasionalnya masih sangat rendah dibawah 50 Kelvin. Keterbatasan temperatur operasional pada SET ini menjadi salah satu masalah yang masih didiskusikan secara luas dalam pengaplikasian SET secara global. Skripsi ini melaporkan hasil simulasi rangkaian SET dengan Quantum Dot yang disusun seri dan dilihat perbandingan antara temperatur maksimal dengan jumlah Quantum Dot. Hasil simulasi di perangkat lunak SIMON 2.0 menunjukkan bahwa bertambahnya jumlah Quantum Dot yang disusun seri akan meningkatkan batas temperatur operasional dari SET. Dengan menggunakan pendekatan Multiple Quantum Dot, suhu operasional dari SET dapat mencapai 120 Kelvin.

The usage of Single Electron Transistor SET is one of the alternatives to replace the usage of transistor. Although SET has a smaller size and power consumption compared to normal transistors, the operational temperature is still fairly low below 50 Kelvin . This limited operational temperature became the most controversial problem that is still being discussed before applying SET worldwide. This Undergraduate Thesis reports the result from a simulation of a SET circuit is designed with Quantum Dot connected in series and the connection between maximum operational temperature and the amount of Quantum Dot in series will be observed. The result of the simulation from SIMON 2.0 software shows that the increase in Quantum Dot aligned in series will increase the maximum operational temperature. Using the Multiple Quantum Dot approach, the operational temperature of the SET can reach up to 120 Kelvin."
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2017
S67025
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Baliga, B. Jayant
New York: John Wiley & Sons, 1987
621.38 BAL m
Buku Teks SO  Universitas Indonesia Library
cover
Ahmad Fikri
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1992
S37980
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Engelin Shintadewi Julian
"Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting dalam perancangan baik untuk aplikasi analog maupun digital. Dari studi literatur yang dilakukan, diketahui bahwa HBT SiGe yang dirancang untuk memperoleh f maksimal akan menghasilkan yang jauh dibawah nilai f tersebut, demikian pula sebaliknya. Salah satu contoh HBT SiGe yang dirancang untuk menghasilkan ft dan fmax sama tinggi adalah HBT SiGe IBM dengan ft maksimum 90 GHz dan fmax maksimum 90 GHz, yang dibuat dengan teknologi 0,18 µm.
Pada penelitian ini dilakukan perancangan 1-BT SiGe agar dapat memberikan ft dan fmax lebih dari 130 GHz untuk teknologi 0,18 µm. Perancangan dilakukan dengan bantuan program simulasi divais Bipole3v4.6E.
Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan, model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil fabrikasi. Kemudian dilakukan perancangan dimensi divais, profit doping pada emiter, basis dan kolektor serta profit Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang mempunyai ft dan fmax lebih dari 130 GHz.
Dari hasil penelitian yang diperoleh terbukti bahwa: HBT SiGe dengan luas emitter 0,18 x 5 µm2, lebar emiter 9 nm, konsentrasi doping emitter maksimum 102 cm-3 pada sisi kontak menurun ke arah basis, lebar basis antara 27,7 - 31,5 nm, konsentrasi doping basis maksimum antara 8,5x1018 - 1019 cm-3 pada sisi emitter menurun ke arah kolektor, profit Ge segiempat dengan fraksi Ge 0,2, dan lebar kolektor 360 nm dengan profil selective implanted collector dapat menghasilkan frekuensi cutoff antara 130 - 134 GHz dan frekuensi osilasi maksimum antara 136 - 150 GHz."
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
D557
UI - Disertasi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
<<   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10   >>