Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKConcurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yangmampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satuwaktu. Pada tesis ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja padaempat frekuensi tengah yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz.LNA yang dirancang menggunakan transistor HJ-FET NE3210S01 dengan biasjenis self bias, topologi input matching inductive degeneration yang ditambahkanresonator LC paralel, dan ditambah transistor yang dipasang cascode. Simulasidilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS),layout dibuat dengan perangkat lunak altium designer dan kemudian difabrikasi diatas PCB.Hasil simulasi dari rancangan LNA menunjukkan bahwa pada keempat frekuensitengah 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz, S21 mencapai 21.77 dB,17.88 dB, 16.71 dB, dan 15.85 dB untuk keempat frekuensi tengah. S11 sebesar -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, dan -19.69 dB. NF sebesar 0.73 dB, 0.69 dB,0.68 dB, dan 0.75 dB.Hasil pengukuran menunjukkan frekuensi tengah yang bergeser menjadi 665 MHzdengan S11 -14.57 dB dan S21 -4.56 dB, 1.07 GHz dengan S11 -13.42 dB dan S21 -5.79 dB, 1.34 GHz dengan S11 -13.34 dB dan S21 -2.01 dB, dan 2.84 GHz denganS11 -24.49 dB dan S21 -14.79 dB.

---

ABSTRACTConcurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at severalfrequency bands one time simultaneously. This project presents a design ofConcurrent multiband LNA that works at four frequency centers namely 950MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz. The simulated LNA uses HJ-FETNE3210S01 with self bias, inductive degeneration topology added with resonatorLC, and added with cascode transistor. Simulation performed with AdvanceDesign System (ADS), layout is designed with altium designer software thanfabricated on PCB.The simulation result of the LNA shows that, at four frequency centers 950 MHz,1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, S21 achieves 21.77 dB, 17.88 dB, 16.71 dB,and 15.85 dB respectively, S11 achieves -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, and -19.69 dB respectively, NF achieves 0.73 dB, 0.69 dB, 0.68 dB and 0.75 dBrespectively.The measurement result shows that frequency centers shift, they are 665 MHzwith S11 -14.57 dB and S21 -4.56 dB, 1.07 GHz with S11 -13.42 dB and S21 -5.79dB, 1.34 GHz with S11 -13.34 dB and S21 -2.01 dB, and 2.84 GHz with S11 -24.49dB and S21 -14.79 dB."

"ABSTRAKTo support the WiMAX infrastructure development in Indonesiaa dualband2.3/3.3 GHz low noise amplifier (LNA) is designed and analyzed. The LNAis designed by combining the inductive source degeneration architecture and theproposed switchable inductor for controlling gain. The chipis implemented byTSMC 0.18-μm CMOS technology.First of all, the mathematical analysis of the proposed LNA architecture isconducted. It includesinput-impedance, gain and noise figure analysis. Theproposed input-impedance analysis modifies the input impedance of the inductivesource degeneration LNA architecture, includes devices selection to fulfill S11requirement. Furthermore, the gain analysis is performed to explain the proposedswitchable inductor structure for controlling gain. It shows that combining onchipinductor paralleled with series bond-wire and on-board inductor will obtain aflatter gain for two bands of interest. The noise figure for source inductivedegeneration LNA architecture is derived. The noise figure described by thederived equations agrees well with that obtained from the simulation.Secondly, the proposed dual-band 2.3/3.3 GHz LNA is simulated. At lowbandmode, simulated results show the maximum S21 of 18.69 dB, an S11 below -29 dB, and a flat noise figure of 2.3 ~ 2.33 dB from 2.3 to 2.4 GHz. The LNApresents the IIP3 and the P1dB of -12.1 dBm and -23.3 dBm, respectively, whileconsuming 18.4 mW at 1.5 V power supply. At high-band mode, the simulationresults show the S21 of 17.01 ~ 17.48 dB, the S11 below -21 dB, and an flat noisefigure of 2.36 ~ 2.37 dB from 3.3 to 3.4 GHz. The LNA consumes only 12.9 mWat high-band mode, while exhibiting the IIP3 and the P1dB of -11.3 dBm and -22.1dBm, respectively.And then, the proposed LNA is verified by the post-simulation in whichthe bond-wire effects are considered for an on-board deployment. At low-bandmode, the post-simulation results show the S11 of -29.11 dB ~ -32 dB, the S21 of17.18 ~ 17.42 dB, and the flat noise figure of 2.67 ~ 2.71 dB. The LNA exhibitsthe IIP3 and P1dB of -13.4 dBm and -24.2 dBm respectively, while consuming16.32 mW power. At high-band mode, the LNA exhibits the S21 of 15.5 ~ 15.88dB, the S11 of -12.94 ~ -16.82 dB, and the flat noise figure of 2.52 ~ 2.54 dB whileconsuming 11.75 mW. The IIP3 and P1dB for the high-band mode are -12.3 dBmand 23.3 dBm, respectively. The total chip area ofthe proposed LNA is 0.9 mm2,including the IO pads."

"Antena aktif yang merupakan integrasi antara antena gelombang mikro dengan perangkat aktif seperti amplifier telah mendapat perhatian yang luas pada beberapa tahun belakangan ini. Pada umumnya, penempatan elemen aktif yaitu transistor microwave dalam rangkaian terintegrasi microwave (Microwave Integrated Circuit, MIC) dibuat pada saluran transmisi microstrip. Pada tesis ini dibahas mengenai rancangan microwave power amplifier sebagai elemen aktif dari antena yang dibuat dengan memakai rangkaian penyesuai saluran transmisi coplanar waveguide. Keuntungan utama yang diharapkan dapat diperoleh dengan pemakaian coplanar waveguide antara lain; interkoneksi komponen pada rangkaian lebih mudah karena hanya bagian permukaan dari struktumya yang diperlukan, memberikan kemudahan dalam memperluas rangkaian pada bidang atas substrat sehingga sangat sesuai digunakan pada rangkaian terintegrasi microwave.Transistor microwave yang dipakai pada rancangan amplifier ini adalah GaAs MeSFET tipe NE 76084 yang memiliki potensi tidak stabil (potentially unstable) pada frekuensi 5 GHz, dan kondisi ini umumnya dihindari dalam rancangan microwave amplifier. Sekalipun transistor tersebut berpotensi tidak stabil, pada tesis ini diperlihatkan realisasi rancangan microwave amplifier dengan membuatnya menjadi stabil melalui pemilihan koefisien refleksi beban yang sesuai.Perancangan dilakukan dengan bantuan perangkat lunak CAD untuk amplifier, AutoCAD dan perangkat keras mesin cetak quick circuit. Pengukuran terhadap beberapa parameter seperti power gain, bandwith, return loss dan VSWR dilakukan pada rancangan akhir amplifier dengan frekuensi operasi 5 GHz.

---

Active antennas which are integration between microwave antenna and an active device such as amplifier have found wide interest in the past few years. Mostly, the placement of active element (i.e. microwave transistor) in microwave integrated circuit (MIC) made on microstrip transmission line. This paper describes the design of microwave power amplifier as an active part of active antenna implemented on coplanar waveguide. With the design proposed here, the main advantage which may be expected from the proposed coplanar waveguide compared to microstrip line is based on the fact, that network interconnection is easily obtained. It structure's necessary only on the surface side of the substrate, allowing planar circuits on the top side to be extended and thus making it compatible with microwave integrated-circuit.

The amplifier investigated in this paper utilized GaAs MeSFET (NE 76084) which is potentially unstable can be realized by the proper selection of the load reflection coefficient. This condition must, therefore, be avoided for the design of microwave amplifier.

The amplifier was designed using several tools such as CAD for amplifier and Auto CAD software, and Quick-circuit machine. Measured result of power gain, VSWR and bandwidth of the amplifier operating in 5 GHz are given."

"Teknologi implan medis pada saat ini telah menjadi bagian penting dalam suatu metode monitoring kondisi tubuh dari suatu makhluk hidup. Dalam sistem teknologi implan medis yang dijalankan secara nirkabel,diperlukan sistem Wireless Power Transfer. Sistem Pada sistem WPT terdapat 2 bagian penting, yaitu transmitter dan reciever. Pada bagian transmitter memiliki peran penting untuk proses amplifikasi daya, dibagian transmitter yang memiliki peran tersebut adalah Power Amplifier (PA). Topologi PA yang digunakan adalah Class-J yang dikenal memiliki liniearity yang baik tanpa mengorbankan efisiensi yang dimiliki, lalu terdapat komponen MOSFET yang bertugas sebagai switching tegangan-arus yang mengalir diterapkan dalam PA, spesifikasi MOSFET diharapkan memiliki kemampuan switching yang cepat dan memiliki efek parasitik dan resistansi yang rendah. PA akan dioperasikan dengan parameter frekuensi masukan sebesar 13,56 MHz sebagai spesifikasi dari penerapan untuk alat implant biomedis. Desain PA dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance System Design 2020 (ADS 2020) untuk mendapatkan efisiensi yang tinggi dengan parameter yang diharapkan. Hasil dari desain merupakan dengan target mendapatkan nilai PAE setinggi-tingginya dengan keluaran daya juga yang besar dalam hal ini Power Gain (dBm), dan hasil penguatan dalam decibel (dB) sebesar-besarya agar daya tidak hilang ketika ditransfer melalui coil menuju reciever. Melalui desain ini diperoleh output power atau P1dB sebesar 12,3 dBm sedangkan pada hasil simulasi P1dB sebesar 32 dBm..

---

Medical implant technology at this time has become an important part in a method of monitoring the body condition of a living being. In a medical implant technology system that runs wirelessly, a Wireless Power Transfer system is needed. System In the WPT system there are 2 important parts, namely transmitter and receiver. The transmitter section has an important role for the power amplification process, the transmitter section has a Power Amplifier (PA) role. The PA topology used is Class-J which is known to have good linearity without sacrificing its efficiency, then there is a MOSFET component that acts as a current-voltage switching applied in the PA, the MOSFET specification is expected to have fast switching capabilities and has parasitic and parasitic effects. low resistance. The PA will be operated with an input frequency parameter of 13.56 MHz as a specification of the application for biomedical implant devices. The PA design was carried out using the Advance System Design 2020 (ADS 2020) software to obtain high efficiency with the expected parameters. The result of the design is with the target of getting the highest PAE value with a large power output in this case Power Gain (dBm), and the maximum gain in decibels (dB) so that power is not lost when transferred through the coil to the receiver. Through this design, the output power or P1dB is 12.3 dBm, while the P1dB simulation results are 32 dBm."

"ABSTRAKPada penelitian ini, dirancang suatu Concurrent Multiband Low Noise Amplifier (LNA) yang mampu bekerja pada frekuensi 950 MHz dan 1.85 GHz untuk aplikasi GSM, 2.35 GHz untuk aplikasi WIMAX/LTE, dan 2.65 GHz untuk aplikasi LTE di Indonesia. Transistor yang digunakan adalah jenis HJ-FET n-channel NE3210S01 dengan karakteristik high gain dan low noise. Konfigurasi transistor yang digunakan adalah cascade untuk menghasilkan gain yang tinggi dan topologi inductive-resistive source degeneration. Penggunaan topologi inductive source degeneration memang dapat meningkatkan derajat kebebasan dalam input matching serta mampu mengurangi noise dengan mengatur nilai induktor source namun konsumsi dayanya masih tinggi sehingga dalam perancangan LNA ini dikombinasikan dengan resistive source degeneration untuk mengatasi hal tersebut. Desain yang dirancang disimulasikan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS) 2009. Berdasarkan hasil simulasi yang dilakukan, rancangan LNA telah memenuhi spesifikasi yaitu memiliki K > 1 yaitu 40.216, 3,207, 1.98, dan 2.044. S21 > 20 dB yaitu 29.871 dB, 33.323 dB, 32.537 dB, dan 30.568 dB. S11 < -10 dB yaitu -22.447 dB, -24.273 dB, -30.604 dB, dan -23.885 dB. S22 < -10 dB yaitu -33.438 dB, -14.868 dB, -29.747 dB dan -16.273 dB. NF < 1 dB yaitu sebesar 0.447 dB, 0.462 dB, 0.634 dB, dan 0.769 dB pada keempat frekuensi tengah serta dengan suplai DC sebesar 1.5 V dan konsumsi daya 93 mW. Hasil pengukuran PCB menunjukkan terjadi pergeseran frekuensi tengah yaitu di 1.135 GHz, 1.37 GHz, 1.67 GHz, dan 2.1 GHz dengan nilai S11 sebesar -16.5~-22.46 dB. Output matching hanya menghasilkan dualband yaitu di frekuensi 1 GHz dan 1.1 GHz dengan nilai S22 sebesar -13.17~-26.14 dB. Kemudian, hasil pengukuran S21 menunjukan terjadinya loss pada LNA dengan nilai S21 < 0.24 dB dengan nilai S21 tertinggi sebesar 0.24 dB di frekuensi 1.6 GHz.

---

ABSTRAKIn this research, has been designed a Concurrent Multiband Low Noise Amplifier (LNA) that could work at 950 MHz and 1.85 GHz for GSM application, 2.35 GHz for WiMAX/LTE and 2.65 for LTE in Indonesia. Transistor which is used in this design is HJ-FET n-channel transistor NE3210S01 that has high gain and low noise characteristic. Using cascade transistor configuration to yield high gain and inductive-resistive source degeneration topology. The use of inductive source degeneration may increase the degree of freedom in input matching and can reduce noise by adjusting the value of source inductor but power consumption is still high so the LNA design is combined with a resistive source degeneration to overcome it. The designed LNA has been simulated with Advance Design System (ADS) 2009 software. Based on the simulation result, the designed LNA achieves specifications such as K >1 they are 40.216, 3,207, 1.98, dan 2.044. S21 > 20 dB they are 29.871 dB, 33.323 dB, 32.537 dB, dan 30.568 dB. S11 < -10 dB they are -22.447 dB, -24.273 dB, -30.604 dB, dan -23.885 dB. S22 < -10 dB they are -33.438 dB, -14.868 dB, -29.747 dB dan -16.273 dB. Noise Figure NF < 1 dB they are 0.447 dB, 0.462 dB, 0.639 dB, dan 0.769 dB on the desired frequency bands with DC supply of 1.5 V and power consumption of 93 mW. PCB measurement results indicate shift in centre frequencies, they are at 1.135 GHz, 1.37 GHz, 1.67 GHz and 2.1 GHz with S11 value of -13.17~-26.14 dB. Output matching produces only dualband at frequency of 1 GHz and 1.1 GHz with S22 value of -13.17 ~ -26.14 dB. Then, the measurement results indicate the occurrence of loss in LNA with value S21 < 0.24 dB with the highest value at 0,24 dB at a frequency of 1.6 GHz."

"ABSTRAKPower amplifier merupakan salah satu subsistem dalam rangkaian transmitter yang sangat penting. Power amplifier berfungsi untuk menaikkan daya dari sinyal yang akan dikirimkan sehingga sinyal masih mampu dideteksi oleh rangkaian penerima. Power Amplifier yang dirancang diperuntukan sebagai bagian dari sistem transmitter Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat merupakan sebuah satelit berkriteria nano yang dikembangkan oleh beberapa perguruan tinggi di Indonesia. Power amplifier yang akan dirancang didisain sehingga memiliki Maximum Available Gain (MAG) > 17 dB pada frekuensi downlink 436.9 MHz dengan faktor kestabilan (K) > 1. Selain itu, parameter yang juga harus diperhatikan dari perancangan power amplifier ini adalah nilai Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) yang memiliki nilai 1≤VSWR≤1.2, dimana hal ini merepresentasikan banyaknya nilai sinyal terpantul. Pada kedua port power amplifier, baik input maupun output, diberikan rangkaian matching agar nilainya menjadi konjugasi dari nilai impedansi sistem untuk memaksimalkan daya yang mampu diteruskan oleh divais. Proses perancangan dilakukan dengan menggunakan piranti lunak advanced design system (ADS). Berdasarkan simulasi, hasil akhir rangkaian adalah bandwidth sebesar 1.5 MHz, faktor kestabilan 1.187, dan nilai VSWR sebesar 1.147.

---

ABSTRACTPower amplfier is one of many subsystems in transmitting circuitry which can be considered very important. Power amplifier can boost signal?s power up in order to be able to be transmitted in a quite long distance and still can be well detected by the receiver?s circuit. This Power amplifier is designed as a part of transmitter system in Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat is a nanosatellite built by several Indonesian universities. The designed power amplifier has maximum available gain (MAG) >17 dB and stability factor (K)>1. other parameter that is being considered in the design is the Voltage Standing Wave Ratio (VSWR), which the value is 1≤VSWR≤1.2. A making of microstrip line as a path of the signal and a connector between two components is required in this project to obtain a better result in designing the power amplifier subsystem. Both in the input and output port of this power amplifier, there are matching networks which are used as matching system so that the input and output port values are the conjugation of the system impedance. Advanced design system (ADS) is used in the designing process. The simulation yields bandwidth of the signal 1.5 MHz, stability factor 1.187, and the VSWR 1.147."