Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Limbah tahu (whey) yang difermentasi dengan bakteri Acetobacter xylinum menghasilkan membran selulosa Nata de Soya. Pendopingan membran selulosa Nata de Soya dengan beberapa variasi konsentrasi Kalium terbukti meningkatkan nilai konduktivitas listrik dari membran selulosa Nata de Soya. Hasil Uji XRD menunjukkan terjadinya perubahan jarak antar bidang kisi yang mengidentifikasi adanya penumbuhan kristal baru pada selulosa Nata de Soya yang telah didoping Kalium. Uji konduktivitas listrik dengan menggunakan listrik arus searah diperoleh karakteristik I-V yang menjelaskan selulosa Nata de Soya setelah didoping Kalium merupakan semikonduktor tipe-n. Penambahan konsentrasi Kalium paling baik terjadi pada 1,5% w/w, yang memperlihatkan kestabilan nilai konduktivitas listrik pada range 0.7 sampai 1.8 volt tegangan dc sebesar 4,7x10 -3 (Ohm.meter)-1 . Penggunaan listrik arus bolak-balik pada selulosa Nata de Soya setelah didoping Kalium menunjukkan hambatan listrik tidak begitu terpengaruh oleh frekuensi.

---

Waste tofu (whey) is fermented with the Acetobacter Xylinum bacteria produces a Nata de Soya cellulose membrane. The doping of the cellulose membrane with various concentration of potassium proves that potassium could increase the electrical conductivity of the Nata de Soya cellulose membrane. XRD results showed a change in distance between lattice which means new crystal after potassium doping. Electrical conductivity test using direct current (DC) shows characteristics of I-V that explains a post potassium doped Nata de Soya resulted in a n-type semiconductor. The addition of potassium concentration was best happened to 1.5% w/w, that showed the stability the value of electrical conductivity in range 0.7 -1.8 Volt of 4,7x10-3 (Ohm.meter)-1. The use of alternating current (AC) on the Nata de Soya cellulose after potassium doping shows that electrical resistance is not dependent of frequency."

"ABSTRAKPada eksperimen telah dibuat lapisan tipis Karbon pada substrat kaca dengan variasi ketebalan 800A, 900A, 1000A, 1500A, 1800A dengan metode Evaporasi Berkas Elektron dalam Vakum.Kemudian dilakukan pengukuran resistansi listrik lapisan tipis Karbon. di luar Vakum, pada temperatur ruang dan variasi temperatur. Pada temperatur ruang, ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Jika dibandingkan dengan resistivitas bulk, sekitar 9 kali lebib besar untuk ketebalan lapisan 1800Ǻ. Hal ini diperkirakan akibat dari tumbukan pada permukaan lapisan tipis yang tidak rata ρs, kontribusi impuritas ρi, dan hamburan pada batas butir (Grain Boundries) pg.Proses pengujian selanjutnya dilakukan dengan pemeriksaan konduktivitas akibat pengaruh temperatur, sedangkan arus yang melewati sampel multi dari 0.25 mA sampai 2.5 mA dengan rentangan temperatur dari -25°C sampai 100°C. Dengan menggunakan rumus konduktivitas listrik σ = σ ∩exp(-∆E/kT, diperoleh harga energi aktivasi pada lapisan tipis Karbon berkisar antara 0.025 - 0.04 eV.Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa pembawa muatan pada lapisan tipis Karbon adalah elektron yang berasal dari atom - atom pengotor yang masuk ke dalam sampel lapisan tipis Karbon."

"Skripsi ini berisi studi teoretis tentang sifat-sifat magnetik dan elektronik dari semikonduktor GaN:Cr tipe-n, seperti magnetisasi densitas keadaan atau den- sity of states (DOS), dan temperatur Curie (TC ). Hamiltonian model terdiri dari suku kinetik dan suku interaksi. Suku kinetik diturunkan dari teori k.p 8-band dengan memasukkan kopling antara spin -orbital (spin-orbit coupling ) dan faktor kontribusi dari pita-pita energi lain sebagai suku perturbasi. Ha- miltonian suku interaksi diturunkan dari magnetic exchange interaction antara spin elektron konduksi dan spin momen magnetik lokal dari atom impuritas (atom Cr). Model diselesaikan dengan menggunakan metode dynamical me- an field theory (DMFT). Pada studi ini, kita memvariasikan Hund’s coupling (JH ), impuritas magnetik (x), dan temperatur (T ). Hasil perhitungan kami menunjukkan bahwa TC meningkat dengan peningkatan JH , namun tidak me- ningkat dengan peningkatan x. Nilai TC tertinggi yang kami dapatkan sebesar 123 K pada JH = 3 eV dan x = 2 %.

---

This bachelor thesis comprehends a theoretical study of magnetic and electronic properties of n-type Cr-doped GaN, such as magnetization, density of states, and Curie temperature (TC ). The model Hamiltonian consists of kine- tic and interaction terms. The kinetic term is derived from 8-band k.p theory, including the spin-orbit coupling and contribution factor from the other ban- ds treated as perturbation. Whereas the interaction term is derived from the magnetic exchange interaction between spins of the conduction electrons and spins of the local magnetic moments of the impurity atom. The model is so- lved using the Dynamical Mean Field Theory (DMFT) method. In this study, we vary the Hund’s coupling (JH ), the magnetic impurity concentration (x), and the temperature (T ). We use 1 eV, 2 eV, and 3 eV for JH values. Our calculation results show that TC increases with increasing JH , but does not increase with increasing x. The highest value of TC that we obtain is 123 K at JH = 3 eV and x = 2 %."

"Telah dibuat lapisan tipis Indium Tin Oxide (In2O3 : SnO2 ; ITO) pada substrat kaca dengan cara dc magnetron sputtering. Perbandingan gas Argon dan oksigen dalam sputter divariasikan dari 3.1%, 5.1%, 8.0% dan 8.9%. Sampel yang dibuat digunakan untuk mempelajari pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis Indium Tin Oxide, pengukuran resistivitas listrik lapisan tipis dilakukan di luar vakum dengan metode four point probe untuk rentang temperatur 11°K sampai 300°K, sedangkan penentuan jumlah pembawa muatan dilakukan dengan metode efek Hall pada lapisan tipis. Energi aktivasi sebagai fungsi temperatur pada lapisan tipis ITO yang diperoleh pada penelitian ini berkisar antara 9.6 x 10.3 eV sampai 1.5 x 10-5 eV. Jika tekanan partial oksigen makin besar maka resistivitas listrik lapiasa tipis ITO makin besar sedangkan jumlah pembawa muatannya makin kecil."

"Perkembangan dunia industri pada zaman ini memiliki laju yang pesat. Hal ini menuntut kita untuk mengembangkan teknologi-teknologi baru untuk bersaing di pasar global. Teknologi busbar merupakan tulang punggung untuk sebagian besar aplikasi daya. Busbar merupakan sebuah konduktor yang digunakan untuk mendistribusi tenaga listrik. Pada umumnya busbar merupakan logam berbentuk batangan atau strip yang terbuat dari tembaga atau aluminium. Dengan penggunaan teknologi komposit bestruktur sandwich, gabungan tembaga sebagai facesheets dan aluminium sebagai core dapat memberi keunggulan produk seperti nilai konduktivitas listrik yang tinggi dan beban yang lebih ringan dan biaya yang lebih rendah. Pada penelitian ini akan dilakukan fabrikasi menggunakan metode powder in sealed tube. Waktu hold pada proses sintering dengan variasi 1 jam, 3 jam dan 5 jam akan dilakukan untuk mengetahui pengaruhnya terhadapat nilai konduktivitas listrik. Setelah fabrikasi, sampel akan dilakukan karakterisasi struktur mikro menggunakan SEM dan dilakukan pengujian menggunakan Agilent mikro ohmmeter untuk mengetahui nilai resistivitasnya. Data hasil pengujian pada sampel yang dilakukan proses sintering dan ditahan selama 1 jam memiliki nilai konduktivitas listrik 92,19% IACS, lalu selama 3 jam ditahan mengalami peningkatan dengan nilai konduktivitas listrik tertinggi yaitu 93,13% IACS, dan terakhir ditahan selama 5 jam mengalami penurunan nilai konduktivitas listrik paling rendah yaitu 89,51% IACS%. Terjadinya peningkatan dan penurunan konduktivitas listrik dikarenakan perubahan dari nilai densitas sampel. Semakin tinggi nilai densitas, maka panjang jalur yang perlu dilampaui aliran listrik menjadi lebih pendek jika dibandingkan sampel dengan densitas yang lebih rendah akibat adanya porositas yang menghalangi aliran listrik.

---

The development of the industrial world at this time has a rapid pace. This requires us to develop new technologies to compete in the global market. Busbar technology is the backbone for most power applications. Busbar is a conductor used to distribute electric power. In general, busbars are metal bars or strips made of copper or aluminum. With the use of sandwich structure composite technology, the combination of copper as facesheets and aluminum as core can provide product advantages such as high electrical conductivity values and lighter loads and lower costs. In this research, fabrication will be carried out using the powder in sealed tube method. The holding time in the sintering process with variations of 1 hour, 3 hours and 5 hours will be carried out to determine its effect on the electrical conductivity value. After fabrication, the sample will be characterized by microstructure using SEM and tested using an Agilent microohmmeter to determine the electrical conductivity value. The test results data on samples that were sintered and held for 1 hour had an electrical conductivity value of 92.19% IACS, then it increased when it was held for 3 hours with the highest electrical conductivity value of 93.13% IACS, and lastly it was held for 5 hours and decreased, the lowest electrical conductivity value was 89.51% IACS%. The occurrence of an increase and decrease in electrical conductivity due to changes in the density of the sample. The higher the density value, the shorter the path length that needs to be passed by electricity when compared to the sample with a lower density due to the presence of porosity that blocks the flow of electricity."