Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis CdS diatas substrat kaca dengan tujuan khusus untuk menambah wawasan terhadap ilmu dan teknologi pembuatan, pengukuran dan analisa lapisan tipis CdS yang dibuat dengan metoda PVD (Physical Vapor Deposition) jenis koevaporasi CdS dan s. dimana diharapkan sustman ini akan bersifat sebagai foto konduktor. Proses deposisi dilakukan pada tekanan ± 5 x 10-6 mbar menggunakan mesin vakum jesin Universal vacuum coater dari Laybold Ag model Universal 450 berkapasitas I 000 liter/s. Lapisan yang berhasil dibuat selanjutnya dilakukan karakterisasi dengan alat spektrofotometer type CARRY 2415 lengkap dengan DS15 data station dan alat difraksi sinar-X merek Philip Analytical Diffractometer PW3710. Pengukuran foto konduktivitasnya dengan bantuan alat ukur Source meter merek Keithley seri 241 O yang mana diukur dalam ruang berlampu terang hingga beberapa detik sesudah lampu tersebut dimatikan. Sampel yang diteliti berukuran 1.5 cm x 1 cm x 5000 A 0 yang dideposisi dengan laju 4 A 0 Is yang selanjutnya dianil dengan variasi temperatur 200°C, 300°C, 400°C, 500°C masing-masing selama 30 menit, yang mana pada sampel tersebut terdapat elektroda Ag pada dua sisi berhadapan sejarak 1 cm yang juga ditempelkan dengan cara evaporasi termal. Hasil spektrofotometer menunjukan bahwa ada kelebihan ketebalan 1 % dari ketebalan yang diprogramkan melalui inti.con. Dari hasil karakterisasi alat difraksi sinar-X menunjukan bahwa lapisan CdS yang terbentuk baik sebelum dianil maupun setelah dianil berstruktur hexagonal deogan preferred orientation pada bidang 002 dengan besar butir semakin tinggi suhu anil semakin besar besar butir yang diperoleh. Dari hasil pengukuran dengan alat ukur source meter menujukan bahwa respon lapisan terhadap cahaya semakin tinggi dengan naiknya suhu anil, yang berarti foto konduktivitasnya semakin baik. dimana pada penelitian ini bahwa lapisan yang dianil pada suhu 500°C menunjukan sifat foto konduktivitas yang terbaik. Hal ini lebih diperjelas dengan hasil hitungan yang diperlihatkan dalam tabel bahwa semakin tinggi suhu anil semakin tinggi pula jumlah pembawa muatan aktif dan mobilitas pembawa muatan. Sumber tegangan yang dipakai dalam penelitian ini bervariasi 5 Volt, 10 Volt, 15 Volt, 20 Volt, dan 25 Volt yang ternyata diplot menjadi grafik terhadap arus adalah berbanding lurus yang berarti menunjukan bahwa tegangan tersebut masih memenuhi hukum ohm."

"Telah ditumbuhkan lapisan tipis ZnO dengan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) yang menggunakan gas pereaksi dimethylzinc (DMZ) dan H2O. Gas B2H6 digunakan sebagai gas doping tipe-n dan diperoleh lapisan tipis dengan sheet resistivity sebesar 2,42 ohm/sqr pada ketebalan 4,47 pm. Diperoleh bahwa penambahan laju aliran B2H6 lebih lanjut dapat menurunkan sheet resistivity. Sifat optik lapisan tipis ZnO diamati dari pengukuran data transmitansi pada panjang gelombang mulai dari daerah ultraviolet, tampak sampai daerah infra-merah dekat. Celah pita optik diperoleh sebesar 3,10 eV. Diperoleh juga bahwa dengan penambahan laju aliran B2H6,, transmitansi pada panjang gelombang di atas 1100 rim menurun karena absorpsi pembawa muatan bebas"

"Nanorods ZnO telah menarik minat banyak peneliti karena memiliki karakteristik unik yang berpotensi untuk diaplikasikan pada berbagai divais seperti light-emitting diode (LED), dye-sensitized solar cells (DSSC), dan field-effect transistor. Pengaturan parameter-parameter sintesis untuk mendapatkan karakteristik nanorods ZnO yang sesuai dengan aplikasi-aplikasi strategis tersebut telah dilakukan oleh banyak peneliti. Namun, belum banyak penelitian yang berkaitan dengan karakteristik nanorods ZnO yang sesuai untuk aplikasi pemanasan transparan yang menggabungkan performa panas dan transparansi optik yang tinggi. Oleh karena itu, penelitian ini bertujuan untuk menyelidiki pengaruh variasi waktu pertumbuhan dan temperatur larutan bibit pada sifat optik dan elektrotermal lapisan tipis nanorods ZnO untuk aplikasi pemanas transparan. Untuk keperluan investigasi, larutan bibit disiapkan pada suhu 0, 30, dan 60 ℃ selama 1 jam dengan menggunakan seng nitrat tetrahidrat dan hexamethylenetetramine sebagai prekursor. Lapisan bibit tersebut kemudian diteteskan ke atas substrat kaca ITO dan didiamkan selama 10 menit. Selanjutnya, kaca ITO yang telah ditetesi larutan bibit tersebut diputar menggunakan spin coater dengan kecepatan 2000 rpm selama 20 detik lalu dianil pada temperatur 200℃ selama 5 menit. Setelah proses spin coating, lapisan nanorods ZnO ditumbuhkan menggunakan metode chemical bath deposition (CBD) pada suhu 90 ℃ dengan variasi waktu pertumbuhan yang berbeda (3, 4, dan 5 jam). Sampel yang telah disintesis dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD), scanning electron microscope (SEM), ultraviolet-visible (UV-Vis) spectrophotometry. Untuk melihat hubungan antara struktur dan morfologi sampel dengan karakterisik optik dan elektrotermalnya, resistivitas listrik diukur menggunakan four-point probe dan performa panas menggunakan termokopel. Hasil penelitian menunjukkan bahwa kinerja pemanas transparan optimal yang menggabungkan transmitansi tinggi dan resistivitas rendah ditemukan dalam sampel yang disiapkan dengan temperatur larutan bibit 30°C dan waktu pertumbuhan 3 jam dengan resistivitas sekitar 0,882×10−4 ohm.cm dan transmitansi sebesar 60,01%. Selain itu, nanorods ZnO dengan waktu pertumbuhan yang lebih lama, kristalinitas yang lebih baik, cakupan substrat yang baik dengan ukuran diameter yang seragam menunjukkan suhu keadaan tunak (steady-state temperature) dan laju pemanasan/pendinginan yang tinggi. Namun, transparansi optiknya menurun secara bertahap dengan pertambahan waktu tumbuh yang diduga sebagai konsekuensi dari peningkatan cakupan nanorods ZnO pada substrat

---

ZnO nanorods have been attracting much interest of researchers owing to their unique properties and extensive potential for various applications including light-emitting diode, dye-sensitized solar cells, and field-effect transistor. Controlling synthesis parameters to obtain the desired characteristics of ZnO nanorods for those strategic applications has been done by many investigators. However, there has not been much research related to the suitable characteristics of ZnO nanorods required for a transparent heating application combining high thermal performance and optical transparency. Therefore, this study was aimed at investigating the effect of different growth time and seeds solution temperature on the optical and electrothermal properties of ZnO nanorods thin films. For investigation purposes, the seed solutions were initially prepared at the temperature of 0, 30, and 60℃ for 1 hour by using zinc nitrate tetrahydrate and hexamethylenetetramine as precursors. The ZnO seed layers were subsequently deposited onto ITO glass substrates by spin coating technique before the chemical bath deposition (CBD) growth at temperature of 90℃ for three different growth times (3, 4, and 5 hours). The synthesized ZnO nanorods were characterized by field-emission scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and ultraviolet-visible spectrophotometry. To investigate the relationship between the structural and morphological characteristics of the synthesized ZnO nanorods with its electrothermal properties, we measured electrical resistivity using the Four Point Probe and heat performance using thermocouples. The results showed that optimum transparent heater performance combining high transmittance and low resistivity was found in samples prepared with seeds solution temperature of 30°C and growth time of 3 hours with resistivity of 0.882×10−4 ohm.cm and transmittance of 60.01%. In addition, the films for longer growth time with better crystallinity, good substrate coverage, and uniformity in their size exhibited a higher steady-state temperature with higher heating/cooling rate. However, its optical transparency decreased gradually with the prolongation of the growth time, which was expected as a consequence of the increase in ZnO nanorods coverage on the substrates."

"Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel."

"ABSTRACTKrisis energi dunia dan tingginya harga sumber energi fosil di Eropa dan negara barat menyebabkan innovasi dalam pemanfaatan energi alternatif yang tidak menimbulkan polusi udara CO2 maupun radio aktif. Sehingga diperlukan sumber energi baru, salah satunya adalah solar sel. CdS merupakan salah satu komponen penting sel surya lapis tipis. Pada pembuatan CdS sebagai lapisan buffer sel surya lapis tipis berbasis CZTS dilakukan dengan metode chemical bath deposition (CBD). CdS dideposisikan pada kaca terlapis CZTS dengan variable yang berbeda untuk mendapatkan kondisi deposisi yang optimal. Deposisi CdS telah berhasil dilakukan, dan temperatur optimalnya adalah 90°C. Temperatur dibawah 90°C akan menghasilkan lapisan antar muka yang dapat mengurangi sifat transmitansi lapisan CdS. Konsentrasi optimal pada [S]:[Cd] = 5, karena memiliki nilai transmitansi terbaik.

---

ABSTRACTThe world energy crisis and the high price of fossil energy sources in Europe and the western countries have led to innovation in the use of alternative energy that does not cause CO2 or radioactive air pollution. So that new energy sources are needed, one of which is solar cells. CdS is one of the important components of thin film solar cells. In making CdS as CZTS thin layer solar cell buffer layer was carried out by chemical bath deposition (CBD) method. CdS is positioned on CZTS coated glass with different variables to obtain optimal deposition conditions. CdS deposition has been successfully carried out, and the optimal temperature is 90°C. Temperatures below 90°C will produce an interface layer that can reduce the transmittance properties of the CdS layer. The optimal concentration at [S]: [Cd]=5, because it has the best transmittance value."

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."

"ABSTRAKLapisan tipis CdS yang dideposisi diatas Substrat kaca (n = 1,51) dengan temperarur substrat 200 °C , 222 oC dan 250 °C dan variasi ketebalan antara ( 0,51-1,0) p.m dibuat menggunakan Metode PVD ( Physical Vaporation Deposition). Selanjutnya pada lapisan tipis CdS dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Sifat optik meliputi penentuan indeks bias, koefisien absorpsi, energi gap dan struktur lapisan tipis CdS. Dari nilai-nilai transmittansi yang diperoleh dan menggunakan pendekatan R.Swanepoel diperoleh besarnya indeks bias (n) sekitar 2,2 - 3,45 , besar koefisien absorpsi (α ) sekitar (0,5 - 4,3) x 10 4/cm dan energi gap sekitar ( 2,31 - 2,35) eV. Sedangkan dengan XRD diperoleh bahwa puncak diffraksi yang paling kuat dari kelima sampel yaitu pada d = ( 3,37-3,39 ) A° memiliki orientasi bidang (002) dan konstanta kisi sekitar a= 4,132 A° dan c= 6,77 A° serta struktur kristal adalah hexagonal (Wurzite). Untuk sifat listriknya, hasil pengukuran menunjukkan besarnya resistivitas listrik (p) lapisan tipis CdS adalah sekitar ( 0,81-6,5) x 10 5 Ω cm."