Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil.

---

In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease."

"The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method.In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik.Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan."

"Indium tin oxide (ITO) films have been prepared by do magnetron sputtering with different partial oxygen pressure from 4 mPa to 32 mPa and different of sputter power. The thickness of ITO films were found to be 529 nm - 796 nm. The effects of oxygen partial pressure and sputtering power on the optical properties of ITO films are investigated. From transmittance and reflectance spectra from 350 nm to 800 nm, we can determined the optical parameters by the minimal function method. A visible transmission of - 90% is obtained for 10 mPa oxygen partial pressure. The real refractive index n of ITO films and the energy gap were found 2.04 - 2.22 at λ 550 nm and 2.99 eV - 3.14 eV, respectively. Typical values for the extinction coefficient k at visible range were found to be 7x 10-4 - 7x10-2.

---

Lapisan indium timah oksida (ITO) telah dibuat dengan proses dc magnetron sputtering dengan tekanan parsial oksigen yang diubah-ubah dari 4 mPa - 32 mPa dan daya sputtering yang berbeda. Ketebalan lapisan ITO yang didapat berkisar antara 529 nm - 796 nm. Dilakukan studi mengenai pengaruh tekanan parsial oksigen serta pengaruh daya sputtering pada sifat optis lapisan tipis ITO. Dari spektrum reflektansi dan transmitansi diantara 350 nm - 800 nm, didapat parameter-parameter optis ITO dengan menggunakan metode fungsi minimal. Untuk tekanan parsial oksigen 10 mPa didapat nilai transmisi cahaya tampak 90% Nilai index bias real n lapisan ITO dan besar celah pita energi berturut-turut adalah 2,04 - 2,22 pada λ 550 nm dan 2,99 eV - 3,14 eV. Nilai index bias imajiner k yang didapat adalah 7x 10-4 - 7x10-2."

"Lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) dideposisi dengan metode de sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias sebagai fungsi energi diperoleh dari hasil pengukuran transmisi. Indeks bias akan dianalisis terhadap sifat struktur (inframerah) dan komposisi (electron probe microanalysis/EPMA, Rutherford BackscatteringIRBS). Baik hidrogen maupun karbon keduanya memberikan pengaruh terhadap berkurangnya harga indeks bias dengan bertambahnya flow rate gas metan. Berkurangnya harga indeks bias, hubungannya dengan kepadatan material dan struktur ikatan Si-H, C-H dan Si-C akan didiskusikan"

"Film tipis PbSe dengan tebal 8500 A. dibuat dengan metode evaporasi termal pada tekanan < 10-5 mbar. Dari hasil Difraksi Sinar-X ternyata film menunjukkan karakteristik film tipis polikristalin dengan prefered orientation pada arah <200> yang mengindikasikan Struktur Kolumnar. Pada arah tumbuh yang disukai tidak diamati perubahan ukuran butir dan kerapatan film sebagai akibat proses anil selama 45 dan 90 menit, tapi secara umum diamati penurunan FWHM pada kondisi dianil 90 menit. Pengukuran konduktivitas listrik dilakukan dengan menggunakan metode Four Point Probe pada temperatur 11-300 K. Ketergantungan konduktivitas listrik terhadap temperatur memperlihatkan karakteristik Semikonduktor Ekstrinsik yang jelas dengan besar Pita Larangan masih ada pada harga yang diberikan oleh literatur. Juga terlihat harga konduktivitas semakin tinggi sebagai akibat proses anil yang diyakini disebabkan oleh perubahan mobilitas pada bidang-bidang lain sebagai akibat hilangnya fasa-fasa amorf yang biasanya mengelilingi butir."