Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dilakukan penumbuhan polikristal A1B111Cv12 untuk senyawa ternary AgInSe2 menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi. Sifat-sifat polikristal yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan XRF, XRD dan SEM/EDX masing-masing untuk komposisi, struktur kristal dan struktur mikronya. Difraktogram sinar-X yang dianalisis menggunakaan paket program kristalografi GSAS memperlihatkan bahwaAglnSe2 dengan group ruang 142d merupakan fasa utama dengan parameter kisi a dan c masing-masingnya 6, 1234 A dan 11,7200 A dengan struktur kristal I Center Tetragonal (Chalcopyrite) Selain fasa utama, juga terdapat fasa lain yaitu AglnsSee dengan group ruang P42m dan Se dengan group ruang P3121. Hasil dari XRD ini sesuai dengan data yang didapat dari XRF dan SEM/EDX. Hal ini memberikan arti bahwa tungku sederhana model vertical dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi tersebut bisa digunakan untuk penumbuhan polikristal AgInSe2 akan tetapi untuk mendapatkan fasa tunggal AglnSe2 tungku tersebut perlu lebih disempurnakan.

---

The growing of polycrystals A1B111C2 vr for ternary compounds of AglnSe2 by using modified simple vertical single zone temperature furnace has been carried out. The properties of obtained polycrystals were then characterized by XRF, XRD and SEM/EDX for composition, crystal structure and microstructure respectively. X-ray diffractogram, which have been analysed by using crystallographic software Q_ackage GSAS, showed that AglnSe2 was the main phase with the space group 142d and lattice parameters a and c of 6, 1234 A and 11 , 7200 6 respectively. The other coexisting phases as AglnsSea with the space group P42m and Se with the space group P3121 , however, were also identified. These phases were in agreement with compositional and microstructural analysis obtained by XRF and SEM/EDX. The results imply that the modified simple vertical single zone temperature furnace can be used to grow polycrystals AglnSe2, yet to obtain single phase of AglnSe2, the furnace needs to be improved."

"Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite."

"Pembuatan polikristal Copper Galium Diselenide (CuGaSe2) telah dilakukan dengan menggunakan tungku horizontal zona temperatur tunggal. Unsur-unsur penyusun dicampur, dilelehkan dan selanjutnya didinginkan sehingga menghasilkan polikristal. Kristal yang dihasilkan dikarakterisasi meliputi identifikasi struktur menggunakan XRD (X Ray Diffraction), analisis reaksi kimia selama penumbuhan menggunakan DTA (Differensial Thermal Analysis) dan komposisi unsur menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy).Kristal yang dihasilkan secara visual cukup baik dan tidak menempel pada dinding ampoule. Struktur kristal sampel adalah chalcopyrite. Berdasarkan pengukuran diperoleh nilai parameter kisi ingot a=b, secara berurutan untuk ingot bagian atas, tengah dan bawah adalah 5,613 A; 5,612 A dan 5,615 A; dan nilai c adalah 11,014 A; 10,992 A dan 11,013 A."

"Indonesia kaya akan potensi sumber daya alam zeolite. Sedikitnya telah ditemukan 18 lokasi kandungan zeolite galian industry, sementara diperkirakan masih terdapat 19 lokasi lainnya di wilayah Indonesia yang juga mengandung zeolite (LIPI, 1994). Zeolite alam Indonesia belum dimanfaatkan secara maksimal untuk kepentingan komersial. Padahal harganya jauh lebih murah daripada zeolite sintetis, dan sifat-sifat dasarnya dengan seolit sintetis komersial, misalnya kemapuan zeolite alam dalam menyeleksi gas polar seperti H2O, CO2, dan H2S. tetapi, kemampuan dan kapasitas zeolite alam dalam mengadsporsi gas polar tersebut perlu ditingkatkan. Untuk meningkatkan kapasitas adsorpsinya, diperluas tempat terjadinya adsorpsi pada zeolite alam, salah satunya dengan memodifikasi zeolite alam secara kimiawi.Tujuan dari penelitian ini adalah memodifikasi zeolite alam Malamng (ZAM) dan Lampung (ZAL) secara kimiawi dengan pertukaran kation. Pertukaran kation berlangsung dengan merefluks campuran serbuk zeolite dengan larutan NaCl dan CaCl2, masing-masing berkonsentrasi 3 M, pada temperature konstan 100℃, selama 4 jam. Proses refluks diulang-ulang hingga diperleh sampel zeolite alam termodifikasi 1, 2, 3, 4, dan 5 x 4 jam. ZAL mewakili jenis klinoptilolit sedangakan ZAM jenis mordenit.Selanjutnya sampel ZAL dan ZAM termodifikasi dikarakterisasi komposisi kimia dan luas permukaannya. Karakterisasi komposisi kimia bertujuan untuk mengetahui komposisi kimia zeolite alam tersebut setelah mengalami pertukaran kation dengan Na+ dan Ca2+. Karakterisasi luas permukaan untuk mengetahui pengaruh frekuensi (total waktu) refluks dan perubahan kandungan kation pemakar (Na+ dan Ca+) terhadap luas permukaan total (BET area) ZAL dan ZAM. Karakterisasi yang sama juga dilakukan terhadap ZAL dan ZAM mentah (raw material) serta zeolite sintesis (ZS/Mol. Sleve milik PT. Arum Co. NCL), sebagai perbandingan.Hasil karakterisasi luas permukaan menunjukkan bahwa, ZAL dan ZAM mentah sudah memiliki luas permukaan total (BET area) yang lebih besar dari ZS. Namun dengan modifikasi yang dilakukan dapat meningkatkan luas permukaan totalnya. ZAL dengan luas permukaan total tertinggi diperoleh setelah refluks dengan CaCl2 3M selama 1x4 jam, yaitu sebesar 50.369 m2/g, dan ZAM setelah refluks dengan NaCl 3 M 30.162 m2/g. sementara hasil karakterisasi komposisi kimia menunjukkan, kandungan Ca untuk ZAL dengan BET area tertinggi adalah 4% (5 berat CaO), dan kandungan Na untuk ZAM dengan BET area tertinggi adalah 4% (% berat Na2O). sedangkan ZS komposisi kimianya didominasi oleh Na (9.5% berat Na2O).Berdasarkan hasil karakterisasi tersebut, disimpulkan bahwa ZAL dan ZAM termodifikasi memiliki peluang yang besar untuk menggantikan penggunakan ZS, yang sehari-hari digunakan sebagai adsorban H2O pada proses separasi gas alam. Untuk mengetahui kemampuan ZAL dan ZAM termodifikasi dalam adsorpsi skala laboratorium. Juga disarankan suatu uji karakterisasi yang dapat mengetahui interaksi antara kation-kation penukar (Na+ dan Ca2+) dengan molekul-molekul adsorbat (H2O)."

"ABSTRAKUntuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch pits) dengan luas efektif setiap titik pengamatan sebesar 0,11 mm2. Hasil pengamalan memperlihatkan terjadinya fluktuasi kuantitas cacat kristal dari ujung seed sampai ujung ingot: sampel tanpa proses anil mempunyai cacat yang berfluktuasi antara 4758 sampai 11495/cm2, sedangkan sampel yang dianil mempunyai cacat antara 1541 sampai 5388/cm2.

---

ABSTRACT

In reducing the crystal defects at single crystal silicon with the orientation (100) which has been grown using Czochralski Method, the annealing process of crystal wafers have been done with temperature variation of 1000, 1100 and 1200 °C and also annealing time 6, 12 and 24 hours. Etch pits method has been used to obtain the crystal defects using an effective observation area of 0.11 mm2. The result shows that the defects fluctuation occur accross the length of the sample, from the seed-end toward the bottom-end, also the samples that were not annealed having the variation of crystal defects between 4758 to 114951cm2, while the samples that were annealed showing the defects variation between 1541 to 5388/cm2."