Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pembuatan polikristal Copper Galium Diselenide (CuGaSe2) telah dilakukan dengan menggunakan tungku horizontal zona temperatur tunggal. Unsur-unsur penyusun dicampur, dilelehkan dan selanjutnya didinginkan sehingga menghasilkan polikristal. Kristal yang dihasilkan dikarakterisasi meliputi identifikasi struktur menggunakan XRD (X Ray Diffraction), analisis reaksi kimia selama penumbuhan menggunakan DTA (Differensial Thermal Analysis) dan komposisi unsur menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy).Kristal yang dihasilkan secara visual cukup baik dan tidak menempel pada dinding ampoule. Struktur kristal sampel adalah chalcopyrite. Berdasarkan pengukuran diperoleh nilai parameter kisi ingot a=b, secara berurutan untuk ingot bagian atas, tengah dan bawah adalah 5,613 A; 5,612 A dan 5,615 A; dan nilai c adalah 11,014 A; 10,992 A dan 11,013 A."

"Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite."

"Telah dilakukan penumbuhan polikristal A1B111Cv12 untuk senyawa ternary AgInSe2 menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi. Sifat-sifat polikristal yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan XRF, XRD dan SEM/EDX masing-masing untuk komposisi, struktur kristal dan struktur mikronya. Difraktogram sinar-X yang dianalisis menggunakaan paket program kristalografi GSAS memperlihatkan bahwaAglnSe2 dengan group ruang 142d merupakan fasa utama dengan parameter kisi a dan c masing-masingnya 6, 1234 A dan 11,7200 A dengan struktur kristal I Center Tetragonal (Chalcopyrite) Selain fasa utama, juga terdapat fasa lain yaitu AglnsSee dengan group ruang P42m dan Se dengan group ruang P3121. Hasil dari XRD ini sesuai dengan data yang didapat dari XRF dan SEM/EDX. Hal ini memberikan arti bahwa tungku sederhana model vertical dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi tersebut bisa digunakan untuk penumbuhan polikristal AgInSe2 akan tetapi untuk mendapatkan fasa tunggal AglnSe2 tungku tersebut perlu lebih disempurnakan.

---

The growing of polycrystals A1B111C2 vr for ternary compounds of AglnSe2 by using modified simple vertical single zone temperature furnace has been carried out. The properties of obtained polycrystals were then characterized by XRF, XRD and SEM/EDX for composition, crystal structure and microstructure respectively. X-ray diffractogram, which have been analysed by using crystallographic software Q_ackage GSAS, showed that AglnSe2 was the main phase with the space group 142d and lattice parameters a and c of 6, 1234 A and 11 , 7200 6 respectively. The other coexisting phases as AglnsSea with the space group P42m and Se with the space group P3121 , however, were also identified. These phases were in agreement with compositional and microstructural analysis obtained by XRF and SEM/EDX. The results imply that the modified simple vertical single zone temperature furnace can be used to grow polycrystals AglnSe2, yet to obtain single phase of AglnSe2, the furnace needs to be improved."

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."

"Pada penelitian ini akan dilakukan dengan pembuatan lapisan woka 3202 pada substrat sehingga memiliki kekerasan maksimal dan porositas yang kecil dengan menggunakan High Velocity Oxi-Fuel (HVOF) Thermal spraying dan di lakukan tempering dengan suhu tetap dan waktu temper dibuat yang bervariasi. Data hasil dari lapisan ini diuji kekerasannya dengan menggunakan uji kekerasan mikro vickers dan ukuran diameter butir grain pada lapisan woka 3202, dianalisa secara mikrostruktur bagaimana perubahan stuktur butiran sebelum dan sesudah dilakukan temper yang waktunya bervariasi dengan menggunakan, mikroskop optik, XRD dan SEM sehingga akan diperoleh hasil yang diharapkan oleh dunia industri."

"ABSTRAKTelah dilakukan penelitian tentang Pembuatan dan Karakterisasi lapisan JK7112yang dibuat dengan proses HVOF Thermal spray Coating. Sampel diteliti ukuranbutir,struktur kristal,pertumbuhan butir dan perubahan struktur yang akanmenentukan sifat mekanik seperti kekerasan.Pengujian dilakukan dengan ScaningElectron Microscop(SEM),Vickers Hardness tester dan X-RayDifraction(XRD).Hasil yang diperoleh bahwa setelah sample dipanaskan sampaisuhu 600oC ,maka kekerasan lapisan bertambah dan terjadi perubahan phasekristal."