Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat keramik timbal zirkonium titanat (PZT) doping aluminium dengan variasi persentasi berat 2% dan 8%. Sampel ditekan 2 ton dan dipanaskan pada suhu 800°C selama 8 jam dan ditahan selama 10 jam dan menjadi bulk, setelah itu membuat larutan lapisan tipis dengan mencampur methoxy ethanol di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/Si(100), kemudian diletakan pada spin coating dengan kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik dan dipanaskan pada suhu 900°C selama 8 jam dan ditahan selama 3 jam. Dengan metoda ini diharapkan terbentuk lapisan tipis senyawa PZT doping aluminium di atas substrat Si(100) dan substrat Pt(200)/SiI(100). Seluruh sampel dianalisa dengan difraksi sinar-X (XRD) untuk mengetahui parameter kisi, kemudian mengukur konduktifitas dengan I-V meter.

---

Lead zirconium titanate (PZT) ceramic have been made a doped by alluminum with the weight percentage varied from 2% and 8%. The sample was pressed at 2 ton and heated at 800°C during 8 hours with holding time in 10 hours and becoming bulk. The processed to make a thin film by mixing with methoxy ethanol then deposited to Si(100) and Pt(200)/Si(100) substrates, and then placed in spin coating apparatus with 3000 rpm during 30s and heated at 900°C during 8 hours with holding time 3 hours. by this method would be expected that we obtain new compounds of PZT doped by those atoms. All the samples were then analized by XRD to recognize a lattice parameter. We further discuss a characteristic of conductivity measurement with I-V meter analyzed."

"Sifat ferroelektrik lapisan tipis BST yang didoping dengan In2O3 dan struktur kristal serta morfologi permukaannya telah diuji. Lapisan tipis BST 1M dan BST 1M doping In2O3 dengan variasi prosentase doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111). Proses penumbuhan lapisan tipis pada substrate menggunakan metode CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Proses annealing dilakukan pada temperatur 750ºC untuk substrat Si (111) selama 1 jam. Sistem kristal dan orientasi lapisan tipis BST dan BIST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld menggunakan GSAS.Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada Lapisan Tipis BST 1M, BIST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å. Hasil SEM lapisan tipis BST dan BIST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan relatif sudah homogen. Nilai polarisasi spontan Lapisan Tipis pada substrat Si (111) untuk BIST 1M 1% adalah 22,964µC.cm-2, BIST 1M 2% adalah 14,544µC.cm-2 dan BIST 1M 4% adalah 34,768µC.cm-2.

---

The ferroelectrics properties of BST thin film doped by In2O3 and crystal structure and its morphologic surface have been tested. The BST 1M and BST 1M thin films doped by In2O3 with varied percentage of doping (1%, 2%, 4%) are deposited on Si substrate (111). The process of growing thin films on Si substrate uses CSD (chemical solution deposition) method with spin-coating technique at spinning speed of 3000 rpm for 30 seconds. For Si substrate (111), annealing process runs at 750ºC for one hour.

Crystal system BST and BIST thin films orientation is tested using X-Ray diffraction, while refinement is conducted with rietveld analysis using GSAS. Refined items with GSAS produce BST phases contained in thin films of BST 1M, BIST 1M 1%, 2% and 4% (silicone substrate) corresponding to Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) with cubic crystal system and lattice constant (a) of 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å respectively. Results of BST and BIST thin films for SEM indicate that the surface morphology is relatively homogeneous. The values of thin film spontaneous polarization on Si substrate (111) for BIST 1M 1%, BIST 1M 2%, and BIST 1M 4% are respectively 22,964µC.cm-2, 14,544µC.cm-2, and 34,768µC.cm-2."