Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta20s dengan ketebalan 200 - 400 nm. Lapisan dasar Tantalum didepositkan secara deposisi berkas elektron pada kaca prepare setebal 600 nm yang kemudian dioksidasikan secara anodik didalam elektrolit (NH4)3BO3 dengan nilai pH 8. Sisa lapisan yang tak teroksidasi berlaku sebagai elektroda dan sebagai elektroda lainnya didepositkan Tantalum diatas lapisan Ta205 yang telah terbentuk. Karakterisasi dilakukan dengan mengukur besar kapasitansi dan konstanta dielektrik dengan metoda LCR-bridge, lmpedansi AC, dan Penyimpanan muatan. Konstanta dielektrik yang diperoleh 23 sangat mendekati harga literatur (25). Harga kapasitansi pengukuran secara penyimpanan muatan umumnya lebih rendah dari kedua metoda lainnya dan menunjukkan kebocoran muatan yang tersimpan. Mutu yang tidak tinggi ini dikonfirmasi dengan pengujian arus bocor yang mempunyai orde besaran mikroAmpere. Hal ini diperkirakan disebabkan adanya inhomogenitas dan porositas pada lapisan Ta2O5 yang terbentuk pada proses oksidasi anodik."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta205 dengan evaporasi berkas elektron Tantalum, yang dilanjutkan dengan elektrolisa oksidasi anodik secara arus konstan dalam elektrolit Amonium Borat ( 0,25 M, pH 8,2 ). Laju oksidasi pada rapat arus 0,33 mA cm-2 adalah sebesar 0,5 Ås-1. Dibuat beberapa sampel dengan leas berbeda ( 50, 100 dan 150 mm2 ), juga ketebalan yang bervariasi dart 229.67 --414,70 nm. Pengukuran kapasitansi dilakukan dengan tiga Cara yaitu 1.) RCL Bridge, 2.) Arus AC / Reaktansi Kapasitif dan 3.) Muatan tersimpan. Kapasitansi bervariasi antara 21,88 s/d 151,22 nF dan konstanta dielektrik 23,62 ( ± 5 % ). Faktor disipasi dapat bervariasi antara 0,01 s/d 0,39 dalam interval frekuensi 50 sampai 40.000 Ha. Kuat dielektrik salah satu sampel mencapai 0,6 MV cm-1. Kemasan kapasitor dalam resin ditemukan mengalami degradasi. Walaupun menunjukan sifat-sifat kapasitor yang baik, masih dapat disempurnakan pada eksperimen mendatang, terutama dalam usaha mengurangi porositas lapisan Tipis yang terbentuk."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"Penelitian ini bertujuan untuk mengoptimalkan performance dari peralatan yang digunakan dalam pembuatan lapisan tipis (film), yang meliputi catu daya evaporator, pengukur tekanan, pengukur temperatur dan pengukur tebal lapisan tipis, agar dapat bekerja secara terintegrasi dan terkendali.Beberapa hal yang dilakukan dalam penelitian ini adalah mendisain dan membuat rangkaian pengendali temperatur, memperbaiki rangkaian pengukur tekanan, serta memodifikasi rangkaian catu daya evaporator agar dapat dikendalikan secara otomatis oleh pengukur laju evaporasi.Pada akhir penelitian ini:1. Temperatur lapisan tipis (film) selama evaporasi dapat dijaga konstan pada temperatur tertentu yang diinginkan dengan fluktuasi ± 5 %.2. Tekanan ruang vakum dapat diukur menggunakan sebuah pengukur tekanan, baik untuk mengukur tekanan yang lebih besar dari 10-3 mbar dengan metode termal maupun tekanan yang lebih kecil dari 10-3 mbar dengan metode ionisasi. Pergantian dua metode pengukuran tekanan tersebut berlangsung secara otomatis.3. Laju evaporasi, proses pemanasan awal (pre deposisi) dan tebal akhir lapisan tipis yang diinginkan dapat diprogram sebelumnya. Daya listrik yang diberikan catu daya ke evaporator diatur sepenuhnya oleh rangkaian pengendali.Oleh karena proses pembuatan lapisan tipis dengan cara evaporasi termal ini bekerja secara otomatis maka kualitas lapisan tipis yang dihasilkannya akan lebih baik dan bersifat repetitif."

"Dengan menggunakan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AglnSe2. Dari hasil karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AglnSe2 dan Agln5Sea. Parameter kisi dari lapisam tipis ini adalah a = b =5,9097 angstrom, c = 11,8146 angstrom dan c/a = 1, 9993 sedangkan struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya adalah Ag:ln: Se= 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Lapisan tipis AglnSe2 mempunyai ketebalan ( 0,23 dan 0,41 )μm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800) nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara ( 2, 14 -3,00 ), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 )x 10-2 . Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0.235 serta koeffisien absorpsi S€besar (1,2 - 3,0 )x104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 -6,62 )x10-4 n.cm."

"Pencarian bahan pengganti material dielektrik SiO2 sebagai bahan penelitian cukup lama dilakukan para peneliti. Bahan yang menjadi alternatifnya adalah Ba0.5Sr0,5TiO3, memiliki sifat yang cukup dipengaruhi oleh microstructure. Lapisan tips BST Ba0.5Sr0,5TiO3 dengan variasi molaritas 0,25M , 0,5M , dan 1 M telah berhasil dibuat di atas substrat Si. Penulis mengamati pelebaran puncak sinar x dan menggunakan pelebaran tersebut untuk mencari ukuran butir dan strain mikro non homogen dengan menggunakan metode Williamson-Hall.

---

Substitution material dielectric SiO2 searching as material studies have been done by many researches. Alternative material, Ba0.5Sr0,5TiO3, have characters which influenced by microstructure. Thin layer of Ba0.5Sr0,5TiO3 with molarities variation 0,25 M , 0,5 M , and 1 M have been made on Si substrate. We observed the X-Ray Diffraction peak width at half maximum (FWHM) and using them as input of Williamson-Hall method to get the grain size and non homogeneous micro strain in the materials."