Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta20s dengan ketebalan 200 - 400 nm. Lapisan dasar Tantalum didepositkan secara deposisi berkas elektron pada kaca prepare setebal 600 nm yang kemudian dioksidasikan secara anodik didalam elektrolit (NH4)3BO3 dengan nilai pH 8. Sisa lapisan yang tak teroksidasi berlaku sebagai elektroda dan sebagai elektroda lainnya didepositkan Tantalum diatas lapisan Ta205 yang telah terbentuk. Karakterisasi dilakukan dengan mengukur besar kapasitansi dan konstanta dielektrik dengan metoda LCR-bridge, lmpedansi AC, dan Penyimpanan muatan. Konstanta dielektrik yang diperoleh 23 sangat mendekati harga literatur (25). Harga kapasitansi pengukuran secara penyimpanan muatan umumnya lebih rendah dari kedua metoda lainnya dan menunjukkan kebocoran muatan yang tersimpan. Mutu yang tidak tinggi ini dikonfirmasi dengan pengujian arus bocor yang mempunyai orde besaran mikroAmpere. Hal ini diperkirakan disebabkan adanya inhomogenitas dan porositas pada lapisan Ta2O5 yang terbentuk pada proses oksidasi anodik."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta205 dengan evaporasi berkas elektron Tantalum, yang dilanjutkan dengan elektrolisa oksidasi anodik secara arus konstan dalam elektrolit Amonium Borat ( 0,25 M, pH 8,2 ). Laju oksidasi pada rapat arus 0,33 mA cm-2 adalah sebesar 0,5 Ås-1. Dibuat beberapa sampel dengan leas berbeda ( 50, 100 dan 150 mm2 ), juga ketebalan yang bervariasi dart 229.67 --414,70 nm. Pengukuran kapasitansi dilakukan dengan tiga Cara yaitu 1.) RCL Bridge, 2.) Arus AC / Reaktansi Kapasitif dan 3.) Muatan tersimpan. Kapasitansi bervariasi antara 21,88 s/d 151,22 nF dan konstanta dielektrik 23,62 ( ± 5 % ). Faktor disipasi dapat bervariasi antara 0,01 s/d 0,39 dalam interval frekuensi 50 sampai 40.000 Ha. Kuat dielektrik salah satu sampel mencapai 0,6 MV cm-1. Kemasan kapasitor dalam resin ditemukan mengalami degradasi. Walaupun menunjukan sifat-sifat kapasitor yang baik, masih dapat disempurnakan pada eksperimen mendatang, terutama dalam usaha mengurangi porositas lapisan Tipis yang terbentuk."