Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi tinggi. Metode riset yang dilakukan berupa pemodelan menggunakan software komersil Bipole3 dari BIPSIM inc, dengan acuan berdasarkan HBT SiGe IBM generasi pertama. Model acuan dengan lithography 0,50 μm, memiliki unjuk kerja keluaran ;fT = 45 Ghz, β=110, fmaks = 65 Ghz, Rbb = 18,9 ohm, βVCEO 3,3 Volt, dan Fn =1,07dB pada finp=fT. Meningkat unjuk kerjanya menjadi fT = 79,4 Ghz, β=284, fmaks = 127 Ghz serta Rbb = 9,0 ohm dengan VCEO 2,7 Volt dan Fn =0,36 dB pada finp=fT ketika parameter lateral dan vertikal diubah. Perubahan parameter lateral dilakukan dengan menambah terminal basis dari satu menjadi dua, memperkecil ukuran model menjadi 80% dari ukuran semula, menurunkan lithography menjadi 0,09 μm. Sedangkan untuk parameter vertikal dilakukan dengan cara merubah profile germanium pada basis dari segitiga menjadi trapesium, menaikkan mole fraction (x) dari 7,5% menjadi 10%, serta memperkecil lebar basis menjadi 50% dari ukuran semula. Hasil analisis validasi HBT SiGe acuan dan model memberikan deviasi rata-rata 6%. Parameter lateral berpengaruh pada nilai arus kolektor (IC), resistansi parasitis (Rbb) dan frekuensi maksimum (fmaks) sedangkan parameter vertikal berpengaruh pada frekuensi threshold (fT) dan current gain (β). Pemilihan nilai parameter lateral dan vertikal yang tepat, dapat menghasilkan model dengan noise figure (Fn) yang rendah pada frekuensi kerja yang tinggi serta arus kolektor (IC) yang kecil.

---

The Geometric design with a lateral and vertical combination has been successfully designed, simulated on Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT) and has shown several advantages, particularly low noise figure as described in this dissertation. The research aims to obtain the SiGe HBT devices with a lowest noise figure (Fn) at high frequency operation. The method is based on modeling of used commercial software Bipole3 from BIPSIM inc, based on the first-generation IBM SiGe HBT model as a reference.

The reference model with the lithography of 0.50μm, has the output performance of ; fT= 45 Ghz, β=110, fmaks= 65 Ghz, Rbb= 8.9ohms, = 3.3 Volt, with Fn = 1.07 dB at finp = fT, the performance increases to fT =79.4 Ghz, β = 284, fmaks= 27 Ghz and Rbb= 9.0 ohms, βVCEO =2.7 Volt and Fn = 0.36 dB at finp = fT when the lateral and vertical parameters were modified. Modification of the lateral parameters is done by using two base terminals instead of one, reducing the size of the model to be 80% from original size, reducing the lithography to 0.09 μm. While the vertical parameter is changed by converting the profile of germanium from the triangle to trapezoid basis, increasing the mole fraction (x) from 7.5% to 10%, and reducing the base width to be 50% from original size. The validation of the SiGe HBT with a reference model has an average deviation of 6%.

The lateral parameters have influenced the value of the collector current (IC), parasitic resistance (Rbb) and the maximum frequency (fmaks,) while the vertical parameters influence the frequency threshold (fT) and current gain (β). The appropriate selection of lateral and vertical parameter values can produce models with a low noise figure (Fn) at high frequency operation as well as small collector current (IC)."

"HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal sinusoid dengan frekwensi yang merupakan kelipatan bulat dari frekwensi sinyal masukan. Berdasarkan referensi dinyatakan bahwa, dengan HBT linier, frekwensi maksimum (fmax) pada saat operasional hanya 1/3 dari fmax, pada saat didisain, sedangkan dari referensi yang lain, pengganda frekwensi dengan menggunakan Si/SiGe HBT pernah didisain dengan frekwensi maksimum (fmax) pada saat disain, adalah 67 GHz dan pada saat operasional mampu menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 55 GHz. Dengan demikian metoda pengganda frekwensi dengan menggunakan HBT mampu menghasilkan efisiensi yang lebih baik dari pada HBT linier. Dalam penelitian ini dirancang pengganda frekwensi dengan fmax 120 GHz dengan HBT Si/SiGe. Metode disain menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 115 GHz, yang berarti mendekati frekwensi maksimum yang diinginkan. Pada uji performansi dengan menggunakan gummel plot dihasilkan penguatan arus yang stabil, dan pada uji arus kolektor diketahui tegangan breakdown 4 V.

---

HBT frequency doublers is HBT which provide output frequency two times multiplication than input Frequency. Basic operation of frequency doublers is to take an advantage from non linear behavior of an active device that is if an active device has sinusoidal input signal, it would provide sinusoidal signal which has same frequency with input signal and sinusoidal signal which has frequency n- times multiplication than input signal.

Based on one of reference its claim that fmax from linear HBT, has maximum operational frequency (fmax operational) only one third than maximum frequency (fmax) than it was design. From another reference claim that using Si/SiGe HBT frequency doublers method which have had design and implemented Si/SiGe HBT frequency doublers was designed with fmax 67 GHz and resulted maximum operational frequency 55 GHz. That?s mean Si/SiGe HBT can achieve better frequency than linear HBT.

The purpose of this research is to designed and simulated Si/SiGe HBT frequency doubler with 120 GHz Using Si/SiGe HBT. Design method can achieve 115 GHz, that?s mean close to needed frequency. On the performance experiment using gummels plot measurement resulted that device has stable current amplification and from collector current experiment its provide that?s device breakdown is 4 V."

"Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis.Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04.Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz."

"Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting dalam perancangan baik untuk aplikasi analog maupun digital. Dari studi literatur yang dilakukan, diketahui bahwa HBT SiGe yang dirancang untuk memperoleh f maksimal akan menghasilkan yang jauh dibawah nilai f tersebut, demikian pula sebaliknya. Salah satu contoh HBT SiGe yang dirancang untuk menghasilkan ft dan fmax sama tinggi adalah HBT SiGe IBM dengan ft maksimum 90 GHz dan fmax maksimum 90 GHz, yang dibuat dengan teknologi 0,18 µm.Pada penelitian ini dilakukan perancangan 1-BT SiGe agar dapat memberikan ft dan fmax lebih dari 130 GHz untuk teknologi 0,18 µm. Perancangan dilakukan dengan bantuan program simulasi divais Bipole3v4.6E.Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan, model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil fabrikasi. Kemudian dilakukan perancangan dimensi divais, profit doping pada emiter, basis dan kolektor serta profit Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang mempunyai ft dan fmax lebih dari 130 GHz.Dari hasil penelitian yang diperoleh terbukti bahwa: HBT SiGe dengan luas emitter 0,18 x 5 µm2, lebar emiter 9 nm, konsentrasi doping emitter maksimum 102 cm-3 pada sisi kontak menurun ke arah basis, lebar basis antara 27,7 - 31,5 nm, konsentrasi doping basis maksimum antara 8,5x1018 - 1019 cm-3 pada sisi emitter menurun ke arah kolektor, profit Ge segiempat dengan fraksi Ge 0,2, dan lebar kolektor 360 nm dengan profil selective implanted collector dapat menghasilkan frekuensi cutoff antara 130 - 134 GHz dan frekuensi osilasi maksimum antara 136 - 150 GHz."

"Si-Ge HBTs is an electronic device having important role in developing Information and Telecommunication Technology. It can be shown by the superior performance of threshold frequency (fr) oscillation frequency (fosc) current gain (B) and minimum noise figure (Fn)...."

"Pada teknologi Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell (PEMFC), pelat bipolar merupakan komponen penting yang berfungsi sebagai media pengumpul dan pentransfer elektron dari anoda menuju katoda. Penelitian ini difokuskan dalam pemilihan material serta fabrikasi komposit berbasis matriks polimer dengan penguat karbon. Bahasan utama penelitian ini ialah studi mengenai pengaruh penambahan fraksi volum penguat Multi Wall Carbon Nano Tubes (MWCNT) sebesar 0.1%; 0.5%; dan 1% dan penambahan fraksi volum tembaga (Cu) sebesar 0.1%, 0.2%, dan 0.5% terhadap konduktivitas listrik dan sifat mekanis material pelat bipolar berbasis nano komposit MWCNT/PP-Cu. Material dikarakterisasi melalui pengujian tarik, pengujian tekuk, pengujian densitas, pengujian porositas, pengujian konduktivitas listrik, analisa gugus fungsi dengan menggunakan Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) dan pengamatan permukaan patahan tekuk material pelat bipolar menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM). Hasil penelitian menunjukkan bahwa penambahan fraksi volum penguat MWCNT dan Cu dapat meningkatkan nilai konduktivitas listrik, kekuatan tarik, modulus elastisitas, elongasi, kekuatan tekuk serta mereduksi densitas dan porositas material pelat bipolar.

---

In Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell (PEMFC) technology, bipolar plate is used to collects and transfers electron from the anode to the cathode. This research focuses on material selection of composite based on polymeric matrix and carbon reinforcements to fabricate the bipolar plate material. The main discussion in this research is the analysis of addition of volume fraction multiwall carbon nano tubes (MWCNT) reinforcement equal to 0.1%; 0.5%; 1% and addition of volume fraction of copper reinforcement equal to 0.1%; 0.2%; and 0.5% to the mechanical and electrical conductivity properties of bipolar plate material based on nano composite MWCNT/PP-Cu. The material is characterized using tensile testing, flexural testing, density testing, porosity testing, electrical conductivity testing, functional groups analysis using Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), chemical composition analysis using Energy Dispersed Spectroscopy (EDS), and observation of flexural fracture of bipolar plate using Scanning Electron Microscope (SEM). The results of this research show that addition of volume fraction multiwall carbon nano tubes (MWCNT) and copper (Cu) reinforcement increases the electrical conductivity, ultimate tensile testing, modulus of elasticity, elongation at break, flexural strength and also reduces the density and porosity of bipolar plate material."

"Tren teknologi sistem komunikasi nirkabel saat ini adalah menuju multi layanan atau multi standar, termasuk sistem gelombang radio (RF) yang di dalamnya terdapat perangkat mixer sebagai pentranslasi frekuensi. Namun dalam implementasinya membutuhkan lebih banyak komponen, karena setiap perangkatnya membutuhkan lebih banyak divais. Maka diperlukan perancangan sistem RF yang setiap divaisnya dapat melayani lebih dari 1 pita frekuensi. Sehingga dapat mengurangi jumlah komponen. Tesis ini membahas perancangan rangkaian up-conversion dual-band mixer untuk sistem pemancar RF pada perangkat CPE Mobile WiMAX pada pita frekuensi 2,3 GHz dan 2,6 GHz menggunakan heterojunction bipolar transistor (HBT). Inti mixer yang digunakan adalah jenis double-balanced Gilbert-cell. Pada proses perancangan dual-band mixer ini, digunakan rangkaian dual resonating frequency yang berfungsi untuk menghasilkan resonansi pada 2 frekuensi yang berbeda secara simultan pada input dan output mixer. Digunakan juga rangkaian -lowpass sebagai input dan output matching. Hasil simulasi menunjukkan bahwa dual-band mixer ini dapat bekerja pada 2 pita frekuensi, 2,3GHz dan 2,6GHz, dengan up-conversion gain sebesar 6,222/5,231 dB dan isolasi LO-IF, LO-RF, dan IF-RF sebesar <-70 dB, gain compression sebesar ?72,192/?79,300 dBm untuk input power level dan ?61,297/?68,428 dBm untuk output power level, sedangkan untuk OIP3, IIP3, dan IM3 masing-masing sebesar ?7,670/?8,407 dBm, ?13,892/?13,638 dBm, dan ?138,257/?140,103 dBm, serta memiliki nilai VSWR dan return loss masing-masing sebesar 1,230/1,229 dan ...

---

ABSTRACTIn wireless communication systems, the current trend technology is toward multistandards/multiservices, includes RF system wherein mixer as a frequency translation. But in implementation, it needs more components, because each device need more devices. So in designing need of each devices can operate more than one frequency bands. Due to reducing the components. This paper discuss of design of up-conversion dual-band mixer for transmitter of Mobile WiMAX CPE at 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands using heterojunction bipolar transistor. In mixer core, double-balanced Gilbert-type up-conversion mixer is used. In designing process, to perform mixer can resonate at two different frequencies simultaneously is used the dual resonating frequency circuit at the input and output of the mixer. It is also used -lowpass matching circuit of all mixer ports. Simulation results show that the mixer can operate at two frequencies of 2.3 GHz and 2.6 GHz frequency bands, obtain the conversion gain of 6.222/5.231 dB, port-to-port isolation of ..."