Dalam tesis ini, telah dilakukan optimasi tebal dua lapisan L1+L2 dari anti-reflection coating (ARC) indeks bias nar yang diberikan pada ujung pandu gelombang semikonduktor pemanduan lemah (compound III-V), untuk modus tunggal TEM: agar reflektansi kurang dari 0,0001. Jalur transmisi dipakai sebagai analogi eksak terhadap refleksi di bidang batas, sehingga hubungan kontinyuitas dapat diperoleh memakai operator diadik admitansi Y dan impedansi Z di bidang transversal, serta dengan mengganti pandu gelombang sebagai medium homogen indeks bias ne nerve melalui aproksimasi la = ( ncozdnclad -1 )112 sehingga secara praktis maka Ala (dw)-ia dimana w sebagai karakteristik tampang lintang pandu gelombang, bisa dinyatakan sebagai ketebalan lapisan aktif Melalui bentuk diferensial operator, medan elektrik backward dapat disusun melalui elemen-elemen matriks refleksi Rxx di permukaan batas, sehingga reflektansi pada z==0 dapat diperoleh. Frekuensi respons lapisan ganda untuk pengoperasian dengan = 1,55 µm, menghasilkan: (L1+L2) = n (?i4) dengan n gasal, pada nar = 1,46 (SiO2) atau 2,5870 (Si3N4, ZnSe). Bila indeks bias diambil berbeda (nar.l * nar,2), akan dihasilkan reflektansi minimum 0,58 (praktisnya adalah nol) pada L1=L2=L = 2/8 = 0,1938 m.

---

In this thesis, the thickness of two layers L1+L2 anti-reflection coating (ARC) with refractive index nar of the end facet of weakly-guiding semiconductor (compound III-V), has been optimised to single mode TEM: in order that reflectance had less than 0,0001. Reflection at the boundary is exactly analogous to transmission-line models, with the result that continuity relation using dyadic admitance Y and impedance Z operators at transverse plane, also by replacing the waveguide with homogeneous medium of refractive index nc = ne,fe through Ala = ( nrarc/nc:od -1 }112 approximation such was the case 1a -- (dw}-la in practice, where w is characteristic cross-section of waveguide, can be represented of active layer thickness. Through the differential operator, backward electric field can be form by matrix elements Rxx of reflection of interface, in such a way that reflectance at the plane z--0 is obtain. Double layers response frequencies at A.= 1,55 gm operating, produced: (L1+L2) = n (7J4) where n is odd, with nar = 1,46 (SiO2) or 2,5870 (Si3N4, ZnSe). Difference of both refractive indexes (nar.' $ nar.2), to result in is minimum reflectance 0,58.10-10 (practically is zero) with L1 L2 = L = A/8 = 0,1938 m.